微波混频器的时域谱元分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-10页 |
| ·研究背景及意义 | 第7-8页 |
| ·全波分析方法概况 | 第8-9页 |
| ·本文的结构安排 | 第9-10页 |
| 2 时域谱元法分析含集总元件微波电路 | 第10-21页 |
| ·时域谱元方法基础 | 第10-15页 |
| ·区域离散和网格生成以及坐标变换 | 第10-11页 |
| ·SETD中基函数的选取 | 第11-13页 |
| ·求解波动方程的时域谱元法 | 第13-15页 |
| ·时域谱元法电场-电路耦合分析 | 第15-20页 |
| ·集总元件SETD的计算公式推导 | 第15-18页 |
| ·集总元件SETD的数值模拟 | 第18-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 3 单端混频器的时域谱元分析 | 第21-34页 |
| ·混频器基本理论 | 第21-22页 |
| ·混频器的分类 | 第21页 |
| ·混频器的特性 | 第21-22页 |
| ·单端混频器简介 | 第22-23页 |
| ·肖特基二极管的时域谱元法分析 | 第23-27页 |
| ·肖特基二极管简介及等效电路 | 第23-25页 |
| ·SETD方法实现肖特基二极管的场-路耦合分析 | 第25-26页 |
| ·数值算例 | 第26-27页 |
| ·单端混频器的时域谱元分析 | 第27-33页 |
| ·单节耦合线耦合器的设计与SETD分析 | 第27-29页 |
| ·单端混频器整体电路的SETD全波分析 | 第29-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 4 平衡混频器的时域谱元法分析 | 第34-49页 |
| ·单平衡混频器的SETD分析 | 第34-39页 |
| ·单平衡混频器简介 | 第34-37页 |
| ·SETD分析单平衡混频器 | 第37-39页 |
| ·双平衡混频器的时域谱元法分析 | 第39-48页 |
| ·双平衡混频器简介 | 第39-40页 |
| ·巴伦的简介与设计 | 第40-42页 |
| ·SETD分析双平衡混频器 | 第42-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 混频器的噪声以及高功率微波效应的分析 | 第49-59页 |
| ·加载噪声源的混频器SETD分析 | 第49-52页 |
| ·肖特基二极管噪声构成以及噪声源等效电路 | 第49-50页 |
| ·高斯白噪声序列的生成 | 第50-51页 |
| ·混频器的噪声分析 | 第51-52页 |
| ·混频器高功率效应分析 | 第52-58页 |
| ·高功率微波(HPM)概述 | 第52-53页 |
| ·混频器失效理论分析 | 第53-54页 |
| ·混频器失效特性数值分析与实验 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 6 总结与展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |