| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-23页 |
| ·研究背景 | 第13-14页 |
| ·半导体光催化原理 | 第14-15页 |
| ·半导体光催化剂的分类 | 第15-16页 |
| ·宽带隙光催化剂 TiO_2 | 第16-17页 |
| ·窄带隙光催化剂 Cu_2O | 第17-21页 |
| ·Cu_2O 的光催化性能 | 第18-19页 |
| ·Cu_2O 的制备方法 | 第19-20页 |
| ·Cu_2O 的改性 | 第20-21页 |
| ·本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| ·研究内容 | 第21-22页 |
| ·特点与创新之处 | 第22-23页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第23-28页 |
| ·实验材料与设备 | 第23-24页 |
| ·实验技术方案 | 第24页 |
| ·实验研究方法 | 第24-27页 |
| ·玻璃基体预处理 | 第25页 |
| ·薄膜制备方法 | 第25-26页 |
| ·光催化性能测试 | 第26-27页 |
| ·薄膜的表征 | 第27-28页 |
| ·XRD 表征 | 第27页 |
| ·SEM 及 EDS 表征 | 第27-28页 |
| 第3章 ZnO/Cu_2O 薄膜的制备及其光催化性能 | 第28-43页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·ZnO/nCu_2O 薄膜 | 第29-37页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第29页 |
| ·nCu_2O 和 ZnO/nCu_2O 薄膜的制备 | 第29-30页 |
| ·nCu_2O 和 ZnO/nCu_2O 薄膜的表征 | 第30-32页 |
| ·nCu_2O 和 ZnO/nCu_2O 薄膜的光催化性能 | 第32-35页 |
| ·nCu_2O 沉积时间对 ZnO/nCu_2O 光催化性能的影响 | 第35页 |
| ·ZnO 沉积时间对 ZnO/nCu_2O 光催化性能的影响 | 第35-36页 |
| ·ZnO/nCu_2O 薄膜的光催化稳定性 | 第36-37页 |
| ·ZnO/pCu_2O 薄膜 | 第37-41页 |
| ·pCu_2O 和 ZnO/pCu_2O 薄膜的制备 | 第37页 |
| ·pCu_2O 和 ZnO/pCu_2O 薄膜的表征 | 第37-40页 |
| ·pCu_2O 和 ZnO/pCu_2O 薄膜的光催化性能 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 Ag/Cu_2O 薄膜的制备及其光催化性能 | 第43-61页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·Ag/nCu_2O 薄膜 | 第43-53页 |
| ·Ag/nCu_2O 薄膜的制备 | 第43页 |
| ·Ag/nCu_2O 薄膜的表征 | 第43-47页 |
| ·Ag/nCu_2O 薄膜的光催化性能 | 第47-49页 |
| ·Ag 修饰时间对 Ag/nCu_2O 薄膜光催化性能的影响 | 第49-51页 |
| ·nCu_2O 沉积时间对 Ag/nCu_2O 薄膜光催化性能的影响 | 第51-52页 |
| ·Ag/nCu_2O 薄膜的光催化稳定性 | 第52-53页 |
| ·Ag/pCu_2O 薄膜 | 第53-59页 |
| ·Ag/pCu_2O 薄膜的制备 | 第53页 |
| ·Ag/pCu_2O 薄膜的表征 | 第53-55页 |
| ·Ag/pCu_2O 薄膜的光催化性能 | 第55-56页 |
| ·Ag 修饰时间对 Ag/pCu_2O 薄膜光催化性能的影响 | 第56-57页 |
| ·pCu_2O 沉积时间对 Ag/pCu_2O 薄膜光催化性能的影响 | 第57-58页 |
| ·Ag/pCu_2O 薄膜的光催化稳定性 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 Ag/nCu_2O 薄膜光催化降解甲基橙 | 第61-71页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·甲基橙的降解 | 第62-70页 |
| ·起始浓度的影响 | 第62-64页 |
| ·pH 值的影响 | 第64-65页 |
| ·H_2O_2的影响 | 第65-67页 |
| ·无机阴离子的影响 | 第67-68页 |
| ·甲醇的影响 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文或获得的科研成果 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
