| 中文摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-29页 |
| ·低维半导体纳米材料的研究意义及基本特征 | 第17-19页 |
| ·低维半导体纳米材料的分类 | 第17-18页 |
| ·低维半导体纳米材料的特性 | 第18-19页 |
| ·低维半导体纳米材料的研究进展 | 第19-23页 |
| ·本课题的研究意义和研究内容 | 第23-25页 |
| ·课题的研究意义 | 第23-24页 |
| ·课题的研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 基本理论及应用程序 | 第29-42页 |
| ·第一性原理(First-principles) | 第29页 |
| ·密度泛函理论 | 第29-39页 |
| ·多粒子体系的薛定谔方程 | 第30-31页 |
| ·波恩-奥本海默近似 | 第31-32页 |
| ·Hohenberg-kohn定理 | 第32-33页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第33-34页 |
| ·交互关联能量 | 第34-36页 |
| ·波函数的选取 | 第36-39页 |
| ·WIEN2K程序简介 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 Cu掺杂CdS超晶胞的理论研究 | 第42-67页 |
| ·理论模型与计算参数的设定 | 第42-44页 |
| ·理论模型 | 第42-43页 |
| ·计算参数 | 第43-44页 |
| ·Cu掺杂硫化镉超晶格的电子结构和磁学性质 | 第44-53页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·本体CdS超晶胞 | 第45-46页 |
| ·一个Cu掺杂CdS超晶胞 | 第46-50页 |
| ·Cu-Cu间的铁磁性耦合(FM coupling) | 第50-53页 |
| ·Cu掺杂浓度对CdS光学性质的影响 | 第53-63页 |
| ·光学性质的理论描述 | 第53-54页 |
| ·不同浓度Cu掺杂CdS的电子结构 | 第54-59页 |
| ·Cu掺杂浓度对介电函数的影响 | 第59-62页 |
| ·Cu掺杂浓度对吸收谱的影响 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第四章 类石墨烯结构的CdS纳米面的第一性原理研究 | 第67-87页 |
| ·引言 | 第67-69页 |
| ·H吸附在类石墨烯结构CdS纳米表面(CdSNS)的性能研究 | 第69-75页 |
| ·理论模型与计算参数的设定 | 第69-70页 |
| ·CdSNS的电子结构 | 第70-72页 |
| ·氢化的CdSNS电子结构和磁学性质 | 第72-75页 |
| ·有电子注入的C掺杂类石墨烯CdS纳米而的理论研究 | 第75-81页 |
| ·模型构建 | 第75-76页 |
| ·C掺杂CdSNS的电子结构和磁学性质 | 第76-78页 |
| ·有电子注入的C-C间的耦合 | 第78-81页 |
| ·C掺杂对CdSNS的光学性质的影响 | 第81-83页 |
| ·C掺杂对CdSNS介电函数的影响 | 第81-83页 |
| ·C掺杂对CdSNS的吸收谱的影响 | 第83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第五章 氢化CdS纳米线的第一性原理研究 | 第87-97页 |
| ·引言 | 第87-88页 |
| ·理论模型构建与结构优化 | 第88-90页 |
| ·稳定结构与形成能 | 第90-91页 |
| ·CdS NWs的能带结构和态密度 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第97-100页 |
| ·工作总结 | 第97-98页 |
| ·主要创新点 | 第98-99页 |
| ·工作展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 发表的论文 | 第101-103页 |
| 申请的专利 | 第103-106页 |
| 附录 | 第106-118页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第118页 |
