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ECR等离子体/离子束平台建设与硅基纳米材料的调控生长

摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第一章 绪论第12-26页
   ·高密度微波电子回旋共振等离子体源/离子源第12-19页
     ·高密度等离子体源现状第12-15页
     ·高密度ECR等离子体源/离子源介绍第15-19页
   ·硅基纳米线综述第19-24页
     ·硅基纳米线的应用前景第19页
     ·硅基纳米线的制备方法第19-22页
     ·纳米线的生长模式第22-23页
     ·等离子体化学气相沉积硅纳米线第23-24页
   ·本论文的主要工作第24-26页
第二章 高密度ECR等离子体/离子源实验平台建设第26-53页
   ·ECR微波等离子体装置介绍第26-34页
     ·微波传输系统第27-29页
     ·磁场系统第29-31页
     ·真空维持及供气系统第31页
     ·ECR等离子体的产生第31-34页
   ·ECR等离子体的静电探针诊断第34-42页
     ·双探针诊断第34-36页
     ·不同磁场位形下的Ar等离子体参数第36-39页
     ·不同放电气体的比较第39-40页
     ·束孔对等离子体束的影响第40-42页
   ·ECR等离子体离子源第42-52页
     ·离子源的要求和重要参数第43-44页
     ·离子源的物理技术问题第44-45页
     ·影响离子引出效果的各种因素第45-48页
     ·ECR等离子体离子源的电极结构及测量系统第48-49页
     ·测量结果及分析第49-52页
   ·本章小结第52-53页
第三章 ECR等离子体沉积硅基薄膜过程中的RF偏压效应第53-66页
   ·实验介绍第53-54页
   ·ECR-RF双等离子体沉积氧化硅薄膜第54-62页
     ·氧化硅薄膜的制备第54页
     ·工艺参数对沉积速率的影响第54-59页
     ·射频频率对薄膜成分的影响第59-62页
   ·ECR/RF等离子体沉积硅纳米线研究第62-64页
     ·硅纳米线的制备第62-63页
     ·硅纳米线的表征第63-64页
   ·本章小结第64-66页
第四章 RF等离子体射流对硅基纳米线生长的影响第66-75页
   ·实验装置介绍第66-67页
   ·双平板型射频等离子体沉积硅基纳米线第67-68页
   ·RF射流等离子体沉积硅基纳米线第68-74页
     ·射流等离子体放电性质第68-69页
     ·单频放电射流等离子体沉积纳米线第69-70页
     ·双频放电射流等离子体沉积纳米线第70-73页
     ·高HMDSO浓度下沉积的特殊纳米结构第73-74页
   ·本章小结第74-75页
第五章 ECR等离子体沉积Co薄膜研究第75-92页
   ·磁学基础介绍第75-82页
     ·磁性分类第75-79页
     ·磁化与磁性材料分类第79-81页
     ·磁光克尔效应第81-82页
   ·实验方法第82-84页
   ·Co薄膜特性第84-91页
     ·XRD检测第84-86页
     ·Co薄膜磁性测试第86-90页
     ·结果分析第90-91页
   ·本章小结第91-92页
第六章 总结与展望第92-94页
   ·本论文主要工作第92-93页
   ·进一步地研究方向第93-94页
参考文献第94-101页
致谢第101-102页
攻读博士期间发表的学术论文第102-103页

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