摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-26页 |
·高密度微波电子回旋共振等离子体源/离子源 | 第12-19页 |
·高密度等离子体源现状 | 第12-15页 |
·高密度ECR等离子体源/离子源介绍 | 第15-19页 |
·硅基纳米线综述 | 第19-24页 |
·硅基纳米线的应用前景 | 第19页 |
·硅基纳米线的制备方法 | 第19-22页 |
·纳米线的生长模式 | 第22-23页 |
·等离子体化学气相沉积硅纳米线 | 第23-24页 |
·本论文的主要工作 | 第24-26页 |
第二章 高密度ECR等离子体/离子源实验平台建设 | 第26-53页 |
·ECR微波等离子体装置介绍 | 第26-34页 |
·微波传输系统 | 第27-29页 |
·磁场系统 | 第29-31页 |
·真空维持及供气系统 | 第31页 |
·ECR等离子体的产生 | 第31-34页 |
·ECR等离子体的静电探针诊断 | 第34-42页 |
·双探针诊断 | 第34-36页 |
·不同磁场位形下的Ar等离子体参数 | 第36-39页 |
·不同放电气体的比较 | 第39-40页 |
·束孔对等离子体束的影响 | 第40-42页 |
·ECR等离子体离子源 | 第42-52页 |
·离子源的要求和重要参数 | 第43-44页 |
·离子源的物理技术问题 | 第44-45页 |
·影响离子引出效果的各种因素 | 第45-48页 |
·ECR等离子体离子源的电极结构及测量系统 | 第48-49页 |
·测量结果及分析 | 第49-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
第三章 ECR等离子体沉积硅基薄膜过程中的RF偏压效应 | 第53-66页 |
·实验介绍 | 第53-54页 |
·ECR-RF双等离子体沉积氧化硅薄膜 | 第54-62页 |
·氧化硅薄膜的制备 | 第54页 |
·工艺参数对沉积速率的影响 | 第54-59页 |
·射频频率对薄膜成分的影响 | 第59-62页 |
·ECR/RF等离子体沉积硅纳米线研究 | 第62-64页 |
·硅纳米线的制备 | 第62-63页 |
·硅纳米线的表征 | 第63-64页 |
·本章小结 | 第64-66页 |
第四章 RF等离子体射流对硅基纳米线生长的影响 | 第66-75页 |
·实验装置介绍 | 第66-67页 |
·双平板型射频等离子体沉积硅基纳米线 | 第67-68页 |
·RF射流等离子体沉积硅基纳米线 | 第68-74页 |
·射流等离子体放电性质 | 第68-69页 |
·单频放电射流等离子体沉积纳米线 | 第69-70页 |
·双频放电射流等离子体沉积纳米线 | 第70-73页 |
·高HMDSO浓度下沉积的特殊纳米结构 | 第73-74页 |
·本章小结 | 第74-75页 |
第五章 ECR等离子体沉积Co薄膜研究 | 第75-92页 |
·磁学基础介绍 | 第75-82页 |
·磁性分类 | 第75-79页 |
·磁化与磁性材料分类 | 第79-81页 |
·磁光克尔效应 | 第81-82页 |
·实验方法 | 第82-84页 |
·Co薄膜特性 | 第84-91页 |
·XRD检测 | 第84-86页 |
·Co薄膜磁性测试 | 第86-90页 |
·结果分析 | 第90-91页 |
·本章小结 | 第91-92页 |
第六章 总结与展望 | 第92-94页 |
·本论文主要工作 | 第92-93页 |
·进一步地研究方向 | 第93-94页 |
参考文献 | 第94-101页 |
致谢 | 第101-102页 |
攻读博士期间发表的学术论文 | 第102-103页 |