基于0.13μm SiGe HBT工艺的射频功率放大器设计
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第13-15页 |
| ·SiGe HBT艺概述 | 第15-17页 |
| ·SiGe功率放大器研究现状 | 第17-20页 |
| ·本文研究工作及组织结构 | 第20-21页 |
| 第二章 功率放大器的理论基础 | 第21-38页 |
| ·功率放大器的分类 | 第21-24页 |
| ·A类功率放大器 | 第21-22页 |
| ·B类功率放大器 | 第22-23页 |
| ·C类功率放大器 | 第23-24页 |
| ·AB类功率放大器 | 第24页 |
| ·功率放大器的基本性能参数 | 第24-29页 |
| ·输出功率 | 第25页 |
| ·功率增益 | 第25-26页 |
| ·效率 | 第26页 |
| ·线性度 | 第26-29页 |
| ·功率放大器的设计理论 | 第29-37页 |
| ·稳定性 | 第29-30页 |
| ·阻抗匹配 | 第30-33页 |
| ·偏置电路 | 第33-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 功率放大器的设计 | 第38-53页 |
| ·功率放大器的设计步骤 | 第38-39页 |
| ·0.13μm SiGe HBT工艺 | 第39页 |
| ·功率放大器的设计指标 | 第39-40页 |
| ·功率放大器的电路设计 | 第40-48页 |
| ·功率放大器的结构设计 | 第40-41页 |
| ·自适应偏置电路设计 | 第41-42页 |
| ·稳定性设计 | 第42-44页 |
| ·阻抗匹配电路设计 | 第44-46页 |
| ·电路前仿真结果 | 第46-48页 |
| ·功率放大器的版图设计 | 第48-52页 |
| ·版图设计考虑 | 第49-50页 |
| ·电路后仿真结果及分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 功率放大器的测试 | 第53-63页 |
| ·测试PCB设计 | 第53-54页 |
| ·测试环境 | 第54-56页 |
| ·测试方案及结果 | 第56-61页 |
| ·测试结果分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第71页 |
