| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-14页 |
| ·存储器的相关性能参数 | 第14-15页 |
| ·论文组织结构 | 第15-17页 |
| ·参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 阻挡层材料的优化 | 第19-45页 |
| ·高k材料的引入 | 第19-23页 |
| ·传统的阻挡层材料 | 第19-21页 |
| ·采用高k材料的原因 | 第21-23页 |
| ·各种高k材料及存储器性能 | 第23-41页 |
| ·介电常数大的高k材料 | 第24-27页 |
| ·带隙宽的高k材料 | 第27-29页 |
| ·能带调制的高k材料 | 第29-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| ·参考文献 | 第42-45页 |
| 第三章 基于高k材料的阻挡层结构优化 | 第45-57页 |
| ·多层高k材料堆叠的阻挡层 | 第45-48页 |
| ·插入SiO_2缓冲层的阻挡层 | 第48-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| ·参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 Al_2O_3阻挡层后处理的工艺优化 | 第57-95页 |
| ·退火温度对Al_2O_3阻挡层的影响 | 第57-77页 |
| ·退火温度对单层Al_2O_3材料的影响 | 第58-67页 |
| ·退火温度对MANOS电荷俘获型存储器性能的影响 | 第67-77页 |
| ·退火气氛对MANOS电荷俘获型存储器性能的影响 | 第77-89页 |
| ·其他后处理方式 | 第89-91页 |
| ·参考文献 | 第91-95页 |
| 第五章 电容结构电荷俘获型存储器的速度特性准确表征 | 第95-117页 |
| ·少子产生与栅电压的分布的关系 | 第95-100页 |
| ·电容结构中少子的产生方式 | 第95-96页 |
| ·平衡态和非平衡态下栅电压的分布 | 第96-98页 |
| ·光照改变电容结构器件的栅电压分布 | 第98-100页 |
| ·光照对电容结构电荷俘获型存储器速度特性的影响 | 第100-114页 |
| ·光照和非光照下的C-V特性 | 第100-104页 |
| ·光照和非光照下的时间常数 | 第104-109页 |
| ·光照和非光照下的P/E速度和I-V特性 | 第109-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| ·参考文献 | 第115-117页 |
| 第六章 总结与展望 | 第117-119页 |
| ·本文研究的主要内容和创新点 | 第117-118页 |
| ·进一步的研究工作 | 第118-119页 |
| 攻读博土学位期间发表的论文 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121页 |