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高速低功耗SRAM研究和设计

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
第一章 引言第6-9页
   ·存储器产品发展趋势第6-7页
   ·嵌入式存储器技术第7页
   ·论文的特点第7-8页
   ·论文的结构和布局第8-9页
第二章 SRAM存储器研究和分析第9-26页
   ·SRAM基本工作原理第9-10页
   ·SRAM存储单元的研究第10-11页
   ·SRAM单元的工作原理第11-14页
   ·SRAM存储单元静态噪声容限第14页
   ·SRAM存储阵列布局设计第14-17页
   ·地址译码电路设计第17-20页
   ·敏感放大器第20-23页
   ·位线预充电路第23-24页
   ·自定时电路第24-25页
   ·本章小结第25-26页
第三章 高速低功耗嵌入式SRAM电路设计第26-45页
   ·存储单元阵列设计第26-27页
   ·外部控制概述第27页
   ·SRAM工作状态第27-31页
   ·全局控制电路第31-33页
   ·地址译码电路第33-36页
   ·时序控制电路第36-37页
   ·数据写入电路第37-38页
   ·敏感放大器电路第38-41页
   ·数据输入输出电路第41-42页
   ·数据擦除电路第42-43页
   ·SRAM性能特性仿真验证第43-44页
   ·本章小结第44-45页
第四章 嵌入式SRAM版图设计第45-54页
   ·存储单元版图第45-49页
   ·Tracking结构的版图实现第49-50页
   ·MOS晶体管的匹配第50-52页
   ·SRAM电源布局第52页
   ·版图验证第52-53页
   ·本章小结第53-54页
第五章 结束语第54-56页
   ·设计总结第54页
   ·工作展望第54-56页
参考文献第56-58页
致谢第58-59页

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