| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| §1.1 强场物理的背景 | 第13-14页 |
| §1.2 强场物理中的高次谐波辐射的产生 | 第14-21页 |
| §1.2.1 高次谐波辐射研究的重大意义 | 第15页 |
| §1.2.2 高次谐波辐射实验研究的进展 | 第15-17页 |
| §1.2.3 高次谐波辐射理论研究的进展 | 第17-20页 |
| §1.2.4 高次谐波辐射研究目前遇到的困难 | 第20-21页 |
| 第二章 双原子分子高次谐波产生过程中的电荷共振效应 | 第21-41页 |
| §2.1 引言 | 第21-22页 |
| §2.2 解析理论 | 第22-32页 |
| §2.2.1 中等大小的核间距R和(E_1—E_0)/ω(?)1 | 第23-29页 |
| §2.2.2 大的核间距R和(E_1—E_0)/ω(?)0 | 第29-32页 |
| §2.3 数值的结果 | 第32-39页 |
| §2.3.1 两能级模型在计算谐波谱时的缺陷 | 第33-35页 |
| §2.3.2 我们的模型计算得到的谐波谱 | 第35-36页 |
| §2.3.3 初始条件和核间距的影响 | 第36-38页 |
| §2.3.4 大的核间距R时的Cutoff规则 | 第38-39页 |
| §2.4 结论 | 第39-41页 |
| 第三章 大的核间距的分子的高次谐波产生:两中心干涉效应 | 第41-49页 |
| §3.1 引言 | 第41-42页 |
| §3.2 解析的理论和数值的结果 | 第42-48页 |
| §3.3 结论 | 第48-49页 |
| 第四章 利用高次谐波实现分子的轨道成像 | 第49-56页 |
| §4.1 引言 | 第49-50页 |
| §4.2 数值计算的方法和数值结果分析 | 第50-55页 |
| §4.3 结论 | 第55-56页 |
| 第五章 利用不同取向分子谐波谱的交叉点读取分子的信息 | 第56-64页 |
| §5.1 引言 | 第56-57页 |
| §5.2 解析理论和数值的结果 | 第57-63页 |
| §5.3 结论 | 第63-64页 |
| 第六章 分子高次谐波产生的取向依赖:两中心干涉和分子轨道的影响 | 第64-72页 |
| §6.1 引言 | 第64-65页 |
| §6.2 解析理论 | 第65-66页 |
| §6.3 数值结果 | 第66-71页 |
| §6.4 结论 | 第71-72页 |
| 第七章 双原子分子高次谐波产生中的电离过程的研究 | 第72-84页 |
| §7.1 引言 | 第72-73页 |
| §7.2 解析理论 | 第73-74页 |
| §7.3 数值结果 | 第74-82页 |
| §7.3.1 MM-SFA和SM-SFA在小R时的比较 | 第74-80页 |
| §7.3.2 G-SFA和SM-SFA在小R时的比较 | 第80-81页 |
| §7.3.3 MM-SFA和SM-SFA在大R时的比较 | 第81-82页 |
| §7.3.4 MM-SFA和G-SFA对沿着场方向的电离概率的预测的比较 | 第82页 |
| §7.4 结论 | 第82-84页 |
| 第八章 高次谐波产生的完整量子图像 | 第84-92页 |
| §8.1 引言 | 第84-85页 |
| §8.2 数值的方法 | 第85-87页 |
| §8.3 数值的结果和分析 | 第87-91页 |
| §8.4 结论 | 第91-92页 |
| 第九章 总结和展望 | 第92-95页 |
| §9.1 本论文工作的主要结论 | 第92-93页 |
| §9.2 后续工作的安排 | 第93-95页 |
| 附录 | 第95-97页 |
| §.1(E_1-E_0)/ω(?)1 | 第95-96页 |
| §.2(E_1-E_0)/ω(?)0 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-103页 |
| 发表文章目录 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104页 |
