| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-27页 |
| §1.1 4H-SiC基紫外光电探测器概述 | 第16-20页 |
| §1.2 4H-SiC基紫外减反射膜的研究现状 | 第20-22页 |
| §1.3 本文工作与论文结构 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 4H-SiC材料的性质 | 第27-42页 |
| §2.1 SiC材料的基本性质 | 第27-30页 |
| §2.1.1 SiC材料的晶体结构 | 第28-29页 |
| §2.1.2 SiC材料的命名 | 第29-30页 |
| §2.2 4H-SiC材料的光学性质 | 第30-34页 |
| §2.2.1 透射率和反射率 | 第30-32页 |
| §2.2.2 折射率 | 第32-33页 |
| §2.2.3 吸收系数 | 第33-34页 |
| §2.3 4H-SiC材料的电学性质 | 第34-40页 |
| §2.3.1 本征载流子浓度 | 第34-35页 |
| §2.3.2 迁移率与漂移速度 | 第35-37页 |
| §2.3.3 电离率与临界击穿电场 | 第37-38页 |
| §2.3.4 表面复合 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 4H-SiC基紫外减反射膜的设计 | 第42-58页 |
| §3.1 紫外光学薄膜材料的选择 | 第42-47页 |
| §3.1.1 透明波段 | 第42-44页 |
| §3.1.2 消光系数 | 第44页 |
| §3.1.3 折射率 | 第44-45页 |
| §3.1.4 机械性能 | 第45-47页 |
| §3.1.5 化学稳定性 | 第47页 |
| §3.2 4H-SiC基紫外减反射膜的设计 | 第47-52页 |
| §3.2.1 矢量作图法 | 第48-49页 |
| §3.2.2 导纳匹配技术 | 第49-52页 |
| §3.3 薄膜参数误差对反射率的影响 | 第52-56页 |
| §3.3.1 折射率误差的影响 | 第52-53页 |
| §3.3.2 厚度误差的影响 | 第53-55页 |
| §3.3.3 其他影响 | 第55-56页 |
| §3.4 本章总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第四章 4H-SiC基紫外减反射膜的制备与测试 | 第58-75页 |
| §4.1 Al_2O_3/SiO_2薄膜的制备方法 | 第58-60页 |
| §4.1.1 电子束蒸发 | 第58-59页 |
| §4.1.2 磁控溅射 | 第59-60页 |
| §4.2 Al_2O_3/SiO_2薄膜的制备及退火工艺 | 第60-61页 |
| §4.2.1 制备工艺 | 第60页 |
| §4.2.2 退火工艺 | 第60-61页 |
| §4.3 Al_2O_3/SiO_2薄膜的测试与分析 | 第61-72页 |
| §4.3.1 反射谱 | 第61-62页 |
| §4.3.2 折射率与厚度 | 第62-64页 |
| §4.3.3 表面与截面形貌 | 第64-67页 |
| §4.3.4 X射线衍射谱(XRD) | 第67-68页 |
| §4.3.5 X射线光电子能谱(XPS) | 第68-72页 |
| §4.4 本章总结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第五章 4H-SiC基紫外减反射膜的应用之一——具有Al_2O_3/SiO_2减反射膜的4H-SiC基MSM紫外光电探测器 | 第75-99页 |
| §5.1 MSM紫外光电探测器的结构与工作原理 | 第75-78页 |
| §5.2 MSM紫外光电探测器性能参数的理论分析 | 第78-81页 |
| §5.2.1 暗电流 | 第78页 |
| §5.2.2 光电流 | 第78-79页 |
| §5.2.3 量子效率与响应度 | 第79-80页 |
| §5.2.4 电容和截止频率 | 第80-81页 |
| §5.3 Al_2O_3/SiO_2/4H-SiC MSM紫外光电探测器的制备及关键工艺研究 | 第81-86页 |
| §5.3.1 晶片材料参数 | 第81页 |
| §5.3.2 器件制备流程 | 第81-83页 |
| §5.3.3 关键工艺探究 | 第83-86页 |
| §5.4 Al_2O_3/SiO_2/4H-SiC MSM紫外光电探测器的性能测试与分析 | 第86-96页 |
| §5.4.1 测试系统简介 | 第86-88页 |
| §5.4.2 测试原理与方法 | 第88-89页 |
| §5.4.3 测试结果与讨论 | 第89-96页 |
| §5.5 本章总结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第六章 4H-SiC基紫外减反射膜的应用之二——具有Al_2O_3/SiO_2减反射膜的4H-SiC基p-i-n紫外光电二极管 | 第99-122页 |
| §6.1 p-i-n紫外光电二极管的工作原理与器件结构 | 第99-100页 |
| §6.2 p-i-n紫外光电二极管性能参数的理论分析 | 第100-106页 |
| §6.2.1 暗电流 | 第100-102页 |
| §6.2.2 光电流 | 第102-104页 |
| §6.2.3 量子效率和响应度 | 第104-105页 |
| §6.2.4 响应速度 | 第105-106页 |
| §6.2.5 噪声等效功率(NEP)和归一化探测率D~* | 第106页 |
| §6.3 Al_2O_3/SiO_2/4H-SiC p-i-n紫外光电二极管的制备及关键工艺 | 第106-111页 |
| §6.3.1 晶片材料参数 | 第106-107页 |
| §6.3.2 器件制备流程 | 第107-109页 |
| §6.3.3 关键工艺探究 | 第109-111页 |
| §6.4 Al_2O_3/SiO_2/4H-SiC p-i-n紫外光电二极管的性能测试与分析 | 第111-118页 |
| §6.4.1 测试原理与方法 | 第111页 |
| §6.4.2 测试结果与讨论 | 第111-118页 |
| §6.5 本章总结 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-122页 |
| 第七章 工作总结与展望 | 第122-126页 |
| §7.1 工作总结 | 第122-124页 |
| §7.2 今后研究工作计划 | 第124-126页 |
| 附录 博士期间发表论文及申请专利 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128页 |
