| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·磁电阻效应 | 第10-12页 |
| ·正常磁电阻效应 | 第10-11页 |
| ·巨磁电阻效应 | 第11页 |
| ·隧道巨磁电阻效应 | 第11-12页 |
| ·自旋极化和半金属材料 | 第12-13页 |
| ·自旋极化和自旋相关散射 | 第12页 |
| ·铁磁半金属材料 | 第12-13页 |
| ·Fe_3O_4的研究现状 | 第13-15页 |
| ·Fe_3O_4的基本性质 | 第13-14页 |
| ·Fe_3O_4薄膜 | 第14-15页 |
| ·Fe_3O_4薄膜作铁磁层电极的隧道结 | 第15页 |
| ·本文的研究内容和意义 | 第15-17页 |
| ·研究内容 | 第15-16页 |
| ·研究意义 | 第16-17页 |
| 第2章 实验过程与方法 | 第17-25页 |
| ·激光分子束外延(LMBE)技术 | 第17-18页 |
| ·激光分子束外延的特点 | 第17页 |
| ·激光分子束外延的原理和结构 | 第17-18页 |
| ·样品的制备 | 第18-20页 |
| ·实验设备与仪器 | 第18-20页 |
| ·靶材制备和衬底清洗 | 第20页 |
| ·薄膜的制备 | 第20页 |
| ·样品的物性测量 | 第20-24页 |
| ·结构分析 | 第20-21页 |
| ·磁性及输运性质的测量 | 第21页 |
| ·霍耳效应的原理与测量 | 第21-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的输运性质 | 第25-35页 |
| ·Si(100)上Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的性质 | 第25-32页 |
| ·结构与成分 | 第25-28页 |
| ·磁性分析 | 第28-29页 |
| ·输运性质 | 第29-31页 |
| ·反型层与双电流通路模型 | 第31-32页 |
| ·Si(111)上Fe_3O_4薄膜的性质 | 第32-34页 |
| ·结构与成分分析 | 第32-33页 |
| ·输运性质 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的磁电阻效应 | 第35-45页 |
| ·Si(100)上Fe_3O_4薄膜的磁电阻 | 第35-41页 |
| ·第一温区的磁电阻 | 第35-38页 |
| ·第二温区的磁电阻 | 第38-40页 |
| ·第三温区的磁电阻 | 第40-41页 |
| ·Si(111)衬底上Fe_3O_4薄膜的磁电阻 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 反型层形成机制及对低场磁电阻的放大作用 | 第45-52页 |
| ·反型层的形成机制探讨 | 第45-47页 |
| ·Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的霍耳效应 | 第45-46页 |
| ·反型层的形成机制 | 第46-47页 |
| ·反型层对低场磁电阻的影响 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
