掺杂铌酸锂晶体体全息存储特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-19页 |
| ·课题背景 | 第13页 |
| ·体全息存储的国内外研究进展 | 第13-14页 |
| ·铌酸锂晶体国内外研究进展 | 第14-18页 |
| ·铌酸锂晶体的特点 | 第14-15页 |
| ·铌酸锂晶体本征缺陷结构模型 | 第15-16页 |
| ·铌酸锂晶体的掺杂 | 第16-18页 |
| ·本文研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 体全息存储的基本原理与技术 | 第19-32页 |
| ·体全息存储的原理 | 第19-21页 |
| ·体光栅与布拉格衍射 | 第20页 |
| ·耦合波理论 | 第20-21页 |
| ·光折变效应 | 第21-26页 |
| ·光折变效应的物理机制及特点 | 第22-23页 |
| ·光折变效应基本方程 | 第23-26页 |
| ·二波耦合效应 | 第26页 |
| ·光折变晶体材料 | 第26-27页 |
| ·光折变晶体的体全息存储 | 第27-31页 |
| ·光折变体全息存储技术的主要特点 | 第28页 |
| ·光折变三维存储器的编码方式 | 第28-30页 |
| ·光折变晶体存储器的曝光技术 | 第30页 |
| ·光折变三维存储器的固定技术 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 铌酸锂晶体性能与制备 | 第32-44页 |
| ·铌酸锂晶体的基本结构 | 第32-33页 |
| ·铌酸锂晶体的性质 | 第33-34页 |
| ·铌酸锂晶体的电学性质 | 第33页 |
| ·铌酸锂晶体的光学和电光性质 | 第33-34页 |
| ·铌酸锂晶体的非线性光学性质 | 第34页 |
| ·铌酸锂晶体的生长 | 第34-36页 |
| ·铌酸锂晶体的掺杂 | 第36-40页 |
| ·掺杂离子的选择 | 第37页 |
| ·掺杂浓度 | 第37-38页 |
| ·掺杂离子的占位、价态和能级 | 第38页 |
| ·双掺杂光折变晶体 | 第38页 |
| ·掺杂晶体的生长和分类 | 第38-40页 |
| ·铌酸锂晶体的处理 | 第40-42页 |
| ·铌酸锂晶体的极化 | 第40-41页 |
| ·氧化和还原处理 | 第41-42页 |
| ·铌酸锂晶体的切割及抛光 | 第42页 |
| ·铌酸锂晶体的主要用途 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 铌酸锂晶体光折变性能测试 | 第44-66页 |
| ·实验仪器 | 第44-46页 |
| ·激光器 | 第44页 |
| ·空间光调制器(SLM) | 第44-45页 |
| ·探测器(CCD&激光功率计) | 第45-46页 |
| ·寻址器件 | 第46页 |
| ·光折变材料的全息存储特性 | 第46-49页 |
| ·光折变灵敏度 | 第46-47页 |
| ·最大折射率调制度 | 第47页 |
| ·响应时间 | 第47-48页 |
| ·光谱响应范围 | 第48页 |
| ·空间分辨率 | 第48页 |
| ·动态范围 | 第48-49页 |
| ·晶体的光学质量 | 第49页 |
| ·衍射效率的测量 | 第49-59页 |
| ·衍射效率测量光路 | 第49-50页 |
| ·衍射效率测试结果 | 第50-57页 |
| ·实验结果分析和讨论 | 第57-59页 |
| ·响应时间和擦除时间的测量 | 第59-61页 |
| ·抗光致散射能力测试 | 第61-64页 |
| ·抗光致散射能力实验光路 | 第61页 |
| ·抗光致散射能力测试 | 第61-64页 |
| ·测试结果讨论和分析 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 掺杂铌酸锂晶体体全息存储实验 | 第66-77页 |
| ·体全息存储实验光路的改进 | 第66-69页 |
| ·体全息存储实验结果与分析 | 第69-73页 |
| ·体全息存储的记录和再现 | 第69-72页 |
| ·讨论和分析 | 第72-73页 |
| ·角度复用 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
