| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1.绪论 | 第9-15页 |
| ·β-FeSi_2的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·β-FeSi_2的一些制备方法 | 第11-12页 |
| ·β-FeSi_2的光电性能 | 第12-13页 |
| ·本次实验设计的依据 | 第13-15页 |
| 2.实验方法 | 第15-24页 |
| ·实验设备 | 第16-18页 |
| ·分析方法 | 第18-24页 |
| ·透射电子显微镜 | 第18-20页 |
| ·X射线衍射 | 第20-21页 |
| ·红外吸收 | 第21-22页 |
| ·光致发光信号 | 第22-24页 |
| 3.X射线分析及相关结论 | 第24-31页 |
| ·三组不同Fe/Si厚度比样品的X射线衍射 | 第24-28页 |
| ·掠入射角度对样品小角度X光掠射的影响 | 第28-29页 |
| ·基片对样品X射线衍射的影响 | 第29-31页 |
| 4.透射电镜结果分析及相关讨论 | 第31-49页 |
| ·Fe/Si厚度比为20/1 00的透射电镜结果及相关讨论 | 第31-34页 |
| ·Fe/Si厚度比为10/50的透射电镜结果及相关讨论 | 第34-37页 |
| ·Fe/Si厚度比为10/30的透射电镜结果及相关讨论 | 第37-40页 |
| ·β-FeSi_2相的标定 | 第40-41页 |
| ·颗粒形状及尺寸随退火温度变化的情况 | 第41-42页 |
| ·关于实测厚度与设计厚度的差别问题 | 第42-43页 |
| ·Fe/Si多层膜的层间扩散问题 | 第43-44页 |
| ·基片对样品生长的影响 | 第44-45页 |
| ·β-FeSi_2/a-Si的多层结构中颗粒均匀性的问题 | 第45-46页 |
| ·β-FeSi_2/a-Si的多层结构中非晶晶化的问题 | 第46-49页 |
| 5.样品直接带隙的测定与分析 | 第49-53页 |
| ·样品直接带隙的测定 | 第49-50页 |
| ·不同厚度比对样品直接带隙的影响 | 第50-51页 |
| ·不同基体对样品直接带隙的影响 | 第51-53页 |
| 6.样品光致发光性能的测量与分析 | 第53-57页 |
| ·β-FeSi_2的PL信号来源的确定 | 第53-54页 |
| ·退火对β-FeSi_2的PL信号强度的影响 | 第54页 |
| ·样品中其它的光致发光信号的讨论 | 第54-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
