半绝缘InP单晶的Fe掺杂激活及缺陷研究

摘要	第1-3页
Abstract	第3-7页
绪论	第7-8页
1 磷化铟(InP)材料概论	第8-18页
·磷化铟(InP)材料的基本性质及应用	第8-9页
·磷化铟(InP)单晶材料的生长制备	第9-13页
·半绝缘InP材料中的缺陷及其对材料性质的影响	第13-17页
·本文研究内容	第17-18页
2 InP材料的表面微缺陷研究	第18-35页
·引言	第18页
·InP材料表面微缺陷研究的实验方法及应用	第18-24页
·A-B腐蚀液化学腐蚀的原理及操作	第18-20页
·H腐蚀液化学腐蚀的原理	第20-21页
·霍尔测量的工作原理	第21-24页
·霍尔测量和化学腐蚀实验的具体操作过程	第24-25页
·霍尔测量和化学腐蚀研究的实验结果分析与讨论	第25-34页
·结论	第34-35页
3 半绝缘InP的Fe掺杂激活与电学补偿研究	第35-51页
·引言	第35页
·半导体对光的吸收原理	第35-36页
·霍尔测量和红外吸收测量的实验条件和处理	第36-37页
·霍尔测量和红外吸收测量研究的实验结果与分析	第37-48页
·SI-InP电学参数与制备条件	第37-39页
·红外吸收测量结果	第39-48页
·霍尔测量和红外吸收测量实验结果的讨论	第48-50页
·原生掺Fe InP中Fe的电学激活与补偿	第48页
·非掺退火半绝缘InP中Fe的电学激活与补偿	第48-49页
·高温离子注入InP中Fe的电学激活与补偿	第49-50页
·结论	第50-51页
4 结论	第51-53页
参考文献	第53-61页
作者在读期间科研成果简介	第61-63页
致谢	第63页