| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·场致电子发射 | 第8-14页 |
| ·表面势垒和隧道效应 | 第8-9页 |
| ·场致电子发射公式推导 | 第9-13页 |
| ·空间电荷效应 | 第13-14页 |
| ·场致电子发射的研究现状和应用 | 第14-20页 |
| ·金属微尖锥场发射阴极的研究和应用 | 第14-15页 |
| ·硅微尖锥型场发射阴极的研究和应用 | 第15-16页 |
| ·石墨烯场发射的研究 | 第16-18页 |
| ·碳纳米管场发射的研究和应用 | 第18-20页 |
| ·本文的选题背景和研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 碳纳米管简介 | 第22-34页 |
| ·碳纳米管的结构和性质 | 第22-26页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第22-24页 |
| ·碳纳米管的性质 | 第24-25页 |
| ·定向碳纳米管的特殊性能 | 第25-26页 |
| ·碳纳米管的生长机制和制备方法 | 第26-31页 |
| ·碳纳米管的生长机制 | 第26-27页 |
| ·定向碳纳米管的生长机理 | 第27-28页 |
| ·碳纳米管的制备方法 | 第28-29页 |
| ·碳纳米管的各种PECVD（包含MPCVD）制备工艺 | 第29-31页 |
| ·碳纳米管的分析表征 | 第31-34页 |
| 第三章 碳纳米管的MPCVD 制备工艺 | 第34-66页 |
| ·碳纳米管的MPCVD 制备流程 | 第34-38页 |
| ·样品基底的选择和处理 | 第34-35页 |
| ·金属催化剂层的制备 | 第35-37页 |
| ·MPCVD 法制备碳纳米管 | 第37页 |
| ·碳纳米管样品的SEM 表征和场发射性能测试 | 第37-38页 |
| ·实验相关设备简介 | 第38-45页 |
| ·磁控溅射镀膜设备 | 第38-40页 |
| ·微波等离子体化学气相沉积设备（MPCVD） | 第40-42页 |
| ·场发射测试仪 | 第42-45页 |
| ·碳纳米管MPCVD 制备工艺的研究 | 第45-64页 |
| ·反应腔体气压和反应气体比例 | 第45-46页 |
| ·基底材料的选择 | 第46-48页 |
| ·等离子体预处理时间 | 第48-52页 |
| ·碳纳米管生长时间 | 第52-64页 |
| ·各个预处理时间下生长5min 的结果 | 第52-55页 |
| ·各个预处理时间下生长8min 的结果 | 第55-59页 |
| ·各个预处理时间下生长10min 的结果 | 第59-62页 |
| ·各个预处理时间下生长15min 的结果 | 第62-64页 |
| ·结论分析 | 第64-66页 |
| 第四章 温度变化对所制备的碳纳米管场发射性能的影响 | 第66-77页 |
| ·热场致电子发射简介 | 第66页 |
| ·温度变化对碳纳米管场发射性能影响的理论计算 | 第66-70页 |
| ·温度变化对碳纳米管场发射性能影响的实验研究 | 第70-77页 |
| ·碳纳米管样品的实验制备 | 第70-71页 |
| ·碳纳米管热场致电子发射测试实验及分析 | 第71-76页 |
| ·碳纳米管热场致电子发射测试实验的结论 | 第76-77页 |
| 第五章 结论和展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第84-85页 |