| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-27页 |
| ·概述 | 第12-14页 |
| ·TiO_2的晶体结构 | 第14-17页 |
| ·TiO_2光催化反应原理 | 第17-21页 |
| ·普遍认同的机理 | 第17-19页 |
| ·关于机理的几种争论 | 第19-21页 |
| ·磁控溅射 | 第21-24页 |
| ·磁控溅射法基本原理 | 第21-22页 |
| ·射频磁控溅射 | 第22页 |
| ·直流磁控溅射 | 第22-24页 |
| ·国内外关于TiO_2光催化研究进展及存在的问题 | 第24-25页 |
| ·国内外关于 TiO_2光催化研究进展 | 第24页 |
| ·目前存在的问题 | 第24-25页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第25-27页 |
| ·光催化降解试验设计 | 第25页 |
| ·优化磁控溅射参数的正交试验设计 | 第25页 |
| ·溅射参数对 TiO_2薄膜光催化性能的影响 | 第25-26页 |
| ·光催化条件对薄膜光催化降解率的影响 | 第26-27页 |
| 第2章 实验方法及仪器和材料 | 第27-40页 |
| ·磁控溅射镀膜试验 | 第27-31页 |
| ·试验材料 | 第27页 |
| ·试验仪器 | 第27-29页 |
| ·镀膜过程 | 第29-31页 |
| ·TiO_2薄膜的退火处理 | 第31页 |
| ·TiO_2薄膜光催化降解试验 | 第31-33页 |
| ·试验材料 | 第31页 |
| ·试验仪器 | 第31-32页 |
| ·光催化降解实验过程 | 第32-33页 |
| ·TiO_2薄膜性能检测 | 第33-40页 |
| ·晶型分析 | 第33-34页 |
| ·形貌分析 | 第34-36页 |
| ·厚度分析 | 第36-38页 |
| ·光催化性能分析 | 第38-40页 |
| 第3章 正交试验 | 第40-52页 |
| ·正交试验设计 | 第40-43页 |
| ·问题的提出 | 第40-41页 |
| ·因素水平的选取 | 第41页 |
| ·正交表的选取 | 第41-42页 |
| ·表头设计 | 第42页 |
| ·试验计划 | 第42-43页 |
| ·薄膜的制备 | 第43页 |
| ·光催化性试验 | 第43-44页 |
| ·级差分析 | 第44-48页 |
| ·不考虑交互作用 | 第44-45页 |
| ·考虑因素间的交互作用 | 第45-48页 |
| ·方差分析 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 溅射参数对 TiO_2薄膜光催化性能的影响 | 第52-75页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·溅射气压对薄膜光催化性能的影响 | 第52-61页 |
| ·不同溅射气压下薄膜的溅射工艺 | 第52页 |
| ·不同溅射气压下薄膜的光催化性能比较 | 第52-53页 |
| ·不同溅射气压下薄膜厚度比较 | 第53-55页 |
| ·不同溅射气压下薄膜的XRD测试 | 第55-58页 |
| ·不同溅射气压下薄膜的AFM分析 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61页 |
| ·靶基距对薄膜光催化性能的影响 | 第61-67页 |
| ·不同靶基距下薄膜的溅射工艺 | 第61页 |
| ·不同靶基距下薄膜的光催化性能比较 | 第61-62页 |
| ·不同靶基距下薄膜的厚度比较 | 第62-64页 |
| ·不同靶基距下薄膜的 XRD测试 | 第64-65页 |
| ·不同靶基距下薄膜的AFM分析 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67页 |
| ·基体温度对薄膜光催化性能的影响 | 第67-73页 |
| ·不同基体温度下薄膜的溅射工艺 | 第67页 |
| ·不同基体温度下薄膜的光催化性能比较 | 第67-68页 |
| ·不同基体温度下薄膜厚度的比较 | 第68-69页 |
| ·不同基体温度下薄膜的XRD测试 | 第69-71页 |
| ·不同基体温度下薄膜的AFM分析 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第5章 光催化条件对 TiO_2薄膜降解率的影响 | 第75-80页 |
| ·降解前的预吸附时间对薄膜光催化降解率的影响 | 第75-76页 |
| ·降解液初始pH值对薄膜光催化降解率的影响 | 第76-78页 |
| ·降解液初始溶液浓度对薄膜光催化降解率的影响 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 结论 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |