SiC薄膜及纳米线的制备与表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·宽带隙半导体材料——SiC 概述 | 第9-11页 |
| ·SiC 的晶体结构及物理与化学特性 | 第11-12页 |
| ·SiC 的晶体结构 | 第11页 |
| ·SiC 的物理和化学性质 | 第11-12页 |
| ·SiC 薄膜及纳米线的制备方法 | 第12-16页 |
| ·SiC 薄膜的制备方法 | 第13-14页 |
| ·SiC 纳米线的制备方法 | 第14-16页 |
| ·SiC 的研究热点与难题 | 第16页 |
| ·本课题的研究内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 样品的制备与表征手段 | 第21-29页 |
| ·SiC 薄膜样品的制备 | 第21-24页 |
| ·所需原材料及仪器 | 第21-22页 |
| ·衬底的清洗 | 第22页 |
| ·射频磁控溅射方法制备SiC 薄膜 | 第22-24页 |
| ·SiC 纳米线的制备 | 第24-26页 |
| ·实验试剂与仪器 | 第24页 |
| ·样品制备流程 | 第24-25页 |
| ·SiC 纳米线的制备 | 第25-26页 |
| ·样品的表征 | 第26-28页 |
| ·傅里叶变换红外（FTIR） | 第26页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第26-27页 |
| ·X 射线反射(XRR) | 第27页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27页 |
| ·能谱仪 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 射频磁控溅射制备SiC 薄膜的性能研究 | 第29-39页 |
| ·SiC 薄膜的FTIR 分析 | 第29-30页 |
| ·SiC 薄膜的XRD 分析 | 第30-31页 |
| ·SiC 薄膜的XPS 分析 | 第31-33页 |
| ·SiC 薄膜的AFM 分析 | 第33-36页 |
| ·SiC 薄膜的厚度分析 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 SiC 纳米线的性能表征 | 第39-49页 |
| ·SiC 纳米线的组成、形貌和微结构分析 | 第39-45页 |
| ·产物的XRD 分析 | 第39-40页 |
| ·产物的SEM 及EDS 分析 | 第40-44页 |
| ·产物的透射电镜（TEM）及电子衍射分析 | 第44-45页 |
| ·SiC 纳米线FTIR 分析 | 第45-46页 |
| ·SiC 纳米线的生长机制 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第五章 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第51页 |
