ZnO掺铝透明导电薄膜的制备及其光电性能研究
| 第1章 绪论 | 第1-16页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·基本特性 | 第10-12页 |
| ·光电性质 | 第10-11页 |
| ·压敏性质 | 第11页 |
| ·气敏与湿敏性质 | 第11-12页 |
| ·压电性质 | 第12页 |
| ·基本应用 | 第12-15页 |
| ·ZnO透明导电薄膜(ZTO) | 第12-13页 |
| ·与GaN互作缓冲层 | 第13-14页 |
| ·紫外光探测器 | 第14页 |
| ·异质结的N极 | 第14页 |
| ·表面声波器件(SAW) | 第14页 |
| ·光波导器件 | 第14-15页 |
| ·本文研究的目的、意义及内容 | 第15-16页 |
| 第2章 薄膜的生长与制备技术评价 | 第16-28页 |
| ·薄膜生长过程概述 | 第16-17页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第17-22页 |
| ·磁控溅射法 | 第17-18页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| ·喷雾热解方法 | 第19-20页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第20页 |
| ·分子束外延法 | 第20-21页 |
| ·原子层外延生长法 | 第21-22页 |
| ·本实验采用的制备方法-溶胶凝胶法 | 第22-28页 |
| ·有机溶胶的制备 | 第22-23页 |
| ·基片的清洗 | 第23-24页 |
| ·薄膜涂覆工艺 | 第24-25页 |
| ·干燥及热处理 | 第25-26页 |
| ·溶胶凝胶法的优点 | 第26页 |
| ·存在的主要问题 | 第26-28页 |
| 第3章 溶胶凝胶法制备ZnO薄膜工艺 | 第28-31页 |
| ·实验原料 | 第28页 |
| ·实验设备及检测仪器 | 第28页 |
| ·制备溶胶 | 第28-29页 |
| ·基片的处理 | 第29页 |
| ·涂膜和热处理 | 第29-31页 |
| 第4章 实验结果与讨论 | 第31-43页 |
| ·薄膜的晶体结构 | 第31-35页 |
| ·扫描电镜形貌 | 第35-37页 |
| ·表面形貌观察 | 第35-37页 |
| ·元素能谱分析 | 第37页 |
| ·电学性能 | 第37-41页 |
| ·掺杂浓度对薄膜电阻的影响 | 第37-39页 |
| ·预烧温度对薄膜电阻的影响 | 第39-40页 |
| ·退火温度对薄膜电阻的影响 | 第40-41页 |
| ·光学性能 | 第41-43页 |
| ·薄膜的透过率 | 第41-42页 |
| ·薄膜的吸收光谱 | 第42-43页 |
| 第5章 氧化锌半导体薄膜实验机理初探 | 第43-60页 |
| ·化学反应机理 | 第43-45页 |
| ·差热分析(DTA)实验原理 | 第43-44页 |
| ·薄膜制备过程的化学反应机理 | 第44-45页 |
| ·半导体的导电机理 | 第45-52页 |
| ·从能带角度来解释半导体的导电机理 | 第45-46页 |
| ·半导体中电子的运输 | 第46-47页 |
| ·半导体的电子散射机制 | 第47-49页 |
| ·迁移率与温度的关系 | 第49-50页 |
| ·掺杂半导体(N或P型)的电导 | 第50-52页 |
| ·掺铝ZnO薄膜的导电机理 | 第52-53页 |
| ·掺杂半导体薄膜的光学性能 | 第53-57页 |
| ·半导体薄膜对光子的吸收 | 第53-54页 |
| ·本征吸收 | 第54-56页 |
| ·其它的吸收过程 | 第56-57页 |
| ·光电导 | 第57-60页 |
| 第6章 结语 | 第60-62页 |
| ·实验结论 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 发表论文情况 | 第67页 |
