中文摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
目录 | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第7-13页 |
·研究背景 | 第7-11页 |
·微波控制电路和射频开关 | 第7-9页 |
·射频集成电路(RFIC)和正交输出压控振荡器 | 第9-11页 |
·本文主要贡献 | 第11-13页 |
第二章 微带线理论和微波PHEMT管芯特性 | 第13-17页 |
·微带线理论 | 第13-14页 |
·PHEMT器件原理和特性 | 第14-16页 |
·小结 | 第16-17页 |
第三章 X波段射频集成开关设计 | 第17-27页 |
·射频集成开关原理 | 第17-18页 |
·X波段射频集成开关设计 | 第18-21页 |
·设计前的考虑 | 第18-19页 |
·X波段射频集成开关设计 | 第19-21页 |
·X波段射频集成开关制作与测量 | 第21-24页 |
·高阻硅基X波段射频集成开关的设计 | 第24-25页 |
·小结 | 第25-27页 |
第四章 正交相位输出电感电容振荡器 | 第27-33页 |
·压控振荡器简介 | 第27-28页 |
·宽调谐范围电感电容压控振荡器 | 第28-29页 |
·正交相位输出振荡器 | 第29-30页 |
·几种结构的优劣分析 | 第29-30页 |
·正交相位输出电感电容振荡器基本原理和电路实现 | 第30-33页 |
第五章 低相位噪声考虑和实现 | 第33-42页 |
·现有相位噪声的基本理论 | 第33-37页 |
·相位噪声的定义和线性时不变理论 | 第33-34页 |
·线性相位时变模型 | 第34-37页 |
·电感电容压控振荡器的相位噪声模型 | 第37-38页 |
·改善正交相位输出电感电容振荡器相位噪声的技术 | 第38-42页 |
·上端偏置(Top biased)结构 | 第38-39页 |
·开关控制偏置(Switched biasing) | 第39-40页 |
·开关控制偏置的交叉控制 | 第40-42页 |
第六章 实际QVCO设计 | 第42-48页 |
·WLAN 802.11n收发机频率综合器2/3f电路 | 第42页 |
·3.2GHz-4.0GHz 0.18μm CMOS正交相位输出电感电容振荡器 | 第42-47页 |
·电感和可变电容的选取 | 第43页 |
·振荡频率和MOS管尺寸参数确定 | 第43-44页 |
·电路版图设计 | 第44-46页 |
·电路仿真结果 | 第46-47页 |
·小结 | 第47-48页 |
第七章 总结 | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-54页 |
致谢 | 第54-55页 |
作者简历 | 第55-56页 |
硕士发表论文小结 | 第56-57页 |
学位论文独创性声明 | 第57页 |
学位论文使用授权声明 | 第57页 |