摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第7-16页 |
·二氧化锡薄膜的性质 | 第7-8页 |
·二氧化锡薄膜的主要应用领域 | 第8-10页 |
·电磁屏蔽 | 第8页 |
·电加热薄膜 | 第8页 |
·热反射玻璃 | 第8-9页 |
·气敏传感器 | 第9页 |
·薄膜电阻器 | 第9页 |
·光电子材料 | 第9页 |
·在太阳能电池中的应用 | 第9-10页 |
·SnO_2薄膜在CdS/CdTe薄膜电池太阳电池中的应用 | 第10-15页 |
·CdS/CdTe 薄膜电池太阳电池的发展过程 | 第10-12页 |
·CdS/CdTe 薄膜电池太阳电池的构造和特性 | 第12-14页 |
·本征SnO_2薄膜在CdTe电池中的应用 | 第14-15页 |
·本章小结 | 第15-16页 |
第二章 等离子体辅助化学气相沉积实验平台的设计制造 | 第16-27页 |
·前言 | 第16页 |
·薄膜的形成过程概述 | 第16-18页 |
·常用的薄膜沉积方法比较 | 第18-20页 |
·物理气相沉积薄膜 | 第18-19页 |
·化学气相沉积薄膜 | 第19-20页 |
·CVD 沉积薄膜的热力学和动力学分析 | 第20-25页 |
·薄膜沉积的热力学分析 | 第20-21页 |
·薄膜生长的动力学分析 | 第21-25页 |
·气相化学反应 | 第21-22页 |
·表面吸附及表面化学反应 | 第22-23页 |
·薄膜表面原子扩散作用 | 第23-24页 |
·PECVD 过程的动力学 | 第24-25页 |
·PECVD 设备的设计和组装 | 第25-26页 |
·本章小结 | 第26-27页 |
第三章 PECVD 法制备本征SnO_2薄膜及其退火处理 | 第27-37页 |
·前言 | 第27页 |
·本征SnO_2薄膜的制备 | 第27-30页 |
·PECVD 反应原理 | 第27-28页 |
·实验过程 | 第28页 |
·SnC1_4/O_2流量比对薄膜沉积的影响 | 第28-29页 |
·沉积温度对沉积薄膜的影响 | 第29-30页 |
·薄膜退火处理及其性能表征 | 第30-35页 |
·退火温度的选择 | 第30-31页 |
·退火前后样品的表征分析 | 第31-35页 |
·XRD 分析 | 第31-32页 |
·透过率的测量与分析 | 第32-33页 |
·XPS 分析 | 第33-35页 |
·本章小结 | 第35-37页 |
第四章 HRT 薄膜在 CdTe 电池上的应用 | 第37-48页 |
·前言 | 第37页 |
·太阳电池的原理 | 第37-40页 |
·光与半导体的相互作用 | 第37-38页 |
·光伏效应 | 第38页 |
·太阳电池的主要参数 | 第38-40页 |
·CdTe 电池 | 第40页 |
·HRT 在CdTe 太阳电池中的作用 | 第40-41页 |
·本征SnO_2薄膜在CdTe 太阳电池中的应用 | 第41-46页 |
·SnO_2:F与SnO_2界面分 | 第41-43页 |
·SnO_2和CdS 界面分析 | 第43-44页 |
·制备的电池性能比较 | 第44页 |
·结果分析 | 第44-46页 |
·本章小结 | 第46-48页 |
第五章 总结 | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-52页 |
发表论文 | 第52-53页 |
致谢 | 第53-54页 |
声明 | 第54页 |