首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文--半导体量子理论论文

半导体量子线和量子点中电子属性的理论研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-24页
   ·量子力学的基本原理第10-11页
     ·量子态函数第10页
     ·薛定谔方程第10-11页
     ·测不准原理第11页
   ·低维半导体量子结构第11-13页
     ·半导体量子阱第11-12页
     ·半导体量子线第12页
     ·半导体量子点第12-13页
   ·有效质量第13-16页
     ·有效质量的概念第13-15页
     ·有效质量的实验测定第15-16页
   ·三种理论方法第16-21页
     ·变分法第16-17页
     ·一维有限差分法第17-19页
     ·Airy函数法第19-21页
   ·选题背景及内容第21-24页
     ·选题背景第21-22页
     ·本文的研究内容第22-24页
第2章 半导体量子线中电子的STARK效应第24-44页
   ·引言第24页
   ·理论模型及计算第24-30页
   ·数值结果及分析第30-42页
     ·电场方位对Stark能移的影响第31-38页
     ·量子线的尺寸对Stark效应的影响第38-42页
   ·本章小节第42-44页
第3章 半导体量子点中杂质的结合能第44-58页
   ·引言第44页
   ·理论模型及计算第44-48页
   ·数值结果分析及讨论第48-55页
   ·本章小节第55-58页
第4章 结论第58-60页
参考文献第60-64页
致谢第64-66页
简历第66页

论文共66页,点击 下载论文
上一篇:光学衍射场次级衍射的研究
下一篇:含薄荷基手性液晶单体及弹性体的合成与性能研究