磁场和缺陷对碳纳米管电子结构和电学性质的影响
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·碳纳米管的结构和分类 | 第8-11页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第11-12页 |
| ·碳纳米管的性质 | 第12-14页 |
| ·碳纳米管的应用 | 第14-15页 |
| ·本文研究的内容及创新点 | 第15-17页 |
| 2 碳纳米管的电子能带结构 | 第17-26页 |
| ·原胞 | 第17-19页 |
| ·能带结构 | 第19-22页 |
| ·卷曲效应 | 第22-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 3 磁场对单壁碳纳米管电子结构的影响 | 第26-37页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·理论模型和计算分析 | 第26-30页 |
| ·紧束缚模型和哈密顿量 | 第26-29页 |
| ·磁场中SWCNTs 能量色散关系 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-36页 |
| ·磁场对能隙E_g 的影响 | 第30-33页 |
| ·磁场对碳管电子态密度的影响 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 4 缺陷对称性对碳管电学性质的影响 | 第37-48页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·模型与计算方法 | 第38-44页 |
| ·π电子紧束缚模型下的哈密顿量 | 第38-39页 |
| ·电导和态密度的计算 | 第39-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 5 结论与展望 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第48页 |
| ·后续工作及展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 附录 | 第56-58页 |
| 作者在攻读学位期间发表的论文 | 第56-58页 |
