摘要 | 第1-3页 |
Abstract | 第3-5页 |
目录 | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第7-22页 |
·引言 | 第7-8页 |
·半导体光催化基础理论 | 第8-13页 |
·光催化原理 | 第8-9页 |
·光催化分解水的条件和影响因素 | 第9-10页 |
·光催化剂研究进展 | 第10-13页 |
·影响半导体光催化效率的因素 | 第13-15页 |
·能带结构的影响 | 第13-14页 |
·晶体结构的影响 | 第14页 |
·粒度、比表面积的影响 | 第14-15页 |
·结晶状态的影响 | 第15页 |
·提高光催化效率的有效途径 | 第15-19页 |
·开发新型光催化材料体系 | 第16-17页 |
·掺杂 | 第17-18页 |
·贵金属、氧化物表面沉积 | 第18-19页 |
·金属氧化物光催化剂的制备 | 第19-20页 |
·固相反应 | 第19页 |
·熔融盐法 | 第19-20页 |
·共沉淀法 | 第20页 |
·本课题的研究背景及意义 | 第20-22页 |
第二章 实验方法 | 第22-26页 |
·原材料和化学试剂 | 第22-23页 |
·氧化物光催化材料的制备与表征 | 第23页 |
·片状SnNb_2O_6的熔融盐法制备 | 第23页 |
·纳米锡铌复合氧化物颗粒的制备 | 第23页 |
·过渡金属掺杂SnNb_2O_6:NiO的制备 | 第23页 |
·半导体光催化材料的表征 | 第23-26页 |
·热重分析(TG) | 第23-24页 |
·物相分析 | 第24页 |
·形貌分析 | 第24页 |
·吸收光谱分析 | 第24页 |
·光催化降解有机物 | 第24-25页 |
·光电性能表征 | 第25-26页 |
第三章 片状SnNb_2O_6的制备及光电性能 | 第26-38页 |
·引言 | 第26-27页 |
·纳米片状SnNb_2O_6的制备及光电性能 | 第27-37页 |
·纳米片状SnNb_2O_6的制备流程 | 第27-28页 |
·煅烧温度的确定 | 第28页 |
·煅烧时间的影响 | 第28-29页 |
·纳米片的形貌与结构 | 第29-32页 |
·单斜SnNb_2O_6纳米片的生长机理 | 第32-33页 |
·片状SnNb_2O_6纳米材料的光电性能 | 第33-37页 |
·本章小节 | 第37-38页 |
第四章 共沉淀法制备SnNb_2O_6纳米颗粒及其光催化性能 | 第38-47页 |
·引言 | 第38页 |
·SnNb_2O_6纳米颗粒的制备 | 第38-44页 |
·煅烧温度的影响 | 第39-40页 |
·共沉淀产物的热过程 | 第40-41页 |
·颗粒尺寸形貌分析 | 第41-44页 |
·锡铌复合氧化物的光催化性能 | 第44-46页 |
·锡铌复合氧化物的紫外可见吸收光谱 | 第44-45页 |
·光催化分解甲基橙 | 第45-46页 |
·本章小节 | 第46-47页 |
第五章 表面修饰及掺杂改性SnNb_2O_6 | 第47-54页 |
·引言 | 第47页 |
·NiO表面改性SnNb_2O_6 | 第47-49页 |
·浸渍法表面修饰NiO | 第47-48页 |
·SnNb_2O_6:NiO/Ni电极的光电化学性能 | 第48-49页 |
·过渡金属掺杂SnYb_2O_6及光电化学性能 | 第49-53页 |
·过渡金属掺杂的制备 | 第49-50页 |
·紫外可见吸收光谱 | 第50页 |
·过渡金属掺杂SnNb_2O_6:NiO/Ni电极的光电化学性能 | 第50-53页 |
·本章小节 | 第53-54页 |
第六章 结论 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-66页 |
附录 | 第66-67页 |
致谢 | 第67页 |