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层状SnNb2O6的制备及其光电化学性能研究

摘要第1-3页
Abstract第3-5页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-22页
   ·引言第7-8页
   ·半导体光催化基础理论第8-13页
     ·光催化原理第8-9页
     ·光催化分解水的条件和影响因素第9-10页
     ·光催化剂研究进展第10-13页
   ·影响半导体光催化效率的因素第13-15页
     ·能带结构的影响第13-14页
     ·晶体结构的影响第14页
     ·粒度、比表面积的影响第14-15页
     ·结晶状态的影响第15页
   ·提高光催化效率的有效途径第15-19页
     ·开发新型光催化材料体系第16-17页
     ·掺杂第17-18页
     ·贵金属、氧化物表面沉积第18-19页
   ·金属氧化物光催化剂的制备第19-20页
     ·固相反应第19页
     ·熔融盐法第19-20页
     ·共沉淀法第20页
   ·本课题的研究背景及意义第20-22页
第二章 实验方法第22-26页
   ·原材料和化学试剂第22-23页
   ·氧化物光催化材料的制备与表征第23页
     ·片状SnNb_2O_6的熔融盐法制备第23页
     ·纳米锡铌复合氧化物颗粒的制备第23页
     ·过渡金属掺杂SnNb_2O_6:NiO的制备第23页
   ·半导体光催化材料的表征第23-26页
     ·热重分析(TG)第23-24页
     ·物相分析第24页
     ·形貌分析第24页
     ·吸收光谱分析第24页
     ·光催化降解有机物第24-25页
     ·光电性能表征第25-26页
第三章 片状SnNb_2O_6的制备及光电性能第26-38页
   ·引言第26-27页
   ·纳米片状SnNb_2O_6的制备及光电性能第27-37页
     ·纳米片状SnNb_2O_6的制备流程第27-28页
     ·煅烧温度的确定第28页
     ·煅烧时间的影响第28-29页
     ·纳米片的形貌与结构第29-32页
     ·单斜SnNb_2O_6纳米片的生长机理第32-33页
     ·片状SnNb_2O_6纳米材料的光电性能第33-37页
   ·本章小节第37-38页
第四章 共沉淀法制备SnNb_2O_6纳米颗粒及其光催化性能第38-47页
   ·引言第38页
   ·SnNb_2O_6纳米颗粒的制备第38-44页
     ·煅烧温度的影响第39-40页
     ·共沉淀产物的热过程第40-41页
     ·颗粒尺寸形貌分析第41-44页
   ·锡铌复合氧化物的光催化性能第44-46页
     ·锡铌复合氧化物的紫外可见吸收光谱第44-45页
     ·光催化分解甲基橙第45-46页
   ·本章小节第46-47页
第五章 表面修饰及掺杂改性SnNb_2O_6第47-54页
   ·引言第47页
   ·NiO表面改性SnNb_2O_6第47-49页
     ·浸渍法表面修饰NiO第47-48页
     ·SnNb_2O_6:NiO/Ni电极的光电化学性能第48-49页
   ·过渡金属掺杂SnYb_2O_6及光电化学性能第49-53页
     ·过渡金属掺杂的制备第49-50页
     ·紫外可见吸收光谱第50页
     ·过渡金属掺杂SnNb_2O_6:NiO/Ni电极的光电化学性能第50-53页
   ·本章小节第53-54页
第六章 结论第54-55页
参考文献第55-66页
附录第66-67页
致谢第67页

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