| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| ·太阳电池的发展状况和趋势 | 第11-13页 |
| ·国内外多晶硅的生产情况 | 第13-17页 |
| ·国外的情况 | 第13-15页 |
| ·国内的情况 | 第15-16页 |
| ·太阳能级硅的空缺及新工艺的必要性 | 第16-17页 |
| ·太阳能级硅制备新工艺 | 第17-30页 |
| ·主要的新工艺 | 第17-20页 |
| ·改良西门子法 | 第17页 |
| ·硅烷热分解法 | 第17-18页 |
| ·冶金法 | 第18页 |
| ·以SiCl_4为原料，用金属还原制备硅 | 第18-19页 |
| ·利用高纯试剂还原二氧化硅 | 第19页 |
| ·真空冶金法制备太阳能级硅新技术 | 第19页 |
| ·利用铝─硅熔体低温凝固精炼制备太阳能级硅 | 第19页 |
| ·熔融盐电解法 | 第19-20页 |
| ·熔盐电解法制备高纯硅国内外情况概述 | 第20-25页 |
| ·从冰晶石熔体中电沉积氧化硅制取结晶硅 | 第20页 |
| ·斯坦福大学的实验研究 | 第20-22页 |
| ·东北大学的实验研究 | 第22-23页 |
| ·熔盐电解固体二氧化硅制备多晶硅 | 第23-25页 |
| ·光纤废弃物的情况 | 第25-26页 |
| ·二氧化硅的性质 | 第26-27页 |
| ·熔盐电解法直接制备太阳能级硅新工艺的提出 | 第27-28页 |
| ·本工艺与其他工艺比较的特点 | 第28-30页 |
| 第二章 二氧化硅理论分解电压的计算 | 第30-34页 |
| ·二氧化硅理论分解电压的计算 | 第30-34页 |
| ·SiO_2电解还原的热力学计算 | 第30-32页 |
| ·利用电极电势与参加反应物质活度的关系计算分解电压 | 第32-34页 |
| 第三章 实验设计及实验方法 | 第34-47页 |
| ·实验所需的原材料及仪器 | 第34-35页 |
| ·实验方法 | 第35-36页 |
| ·电解槽的设计 | 第36-38页 |
| ·石墨阳极的选择 | 第38页 |
| ·阴极的制备方法 | 第38-41页 |
| ·熔盐体系的选择 | 第41-45页 |
| ·熔盐的预处理 | 第45页 |
| ·实验过程 | 第45-47页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第47-63页 |
| ·拉曼光谱检测 | 第47-49页 |
| ·激光拉曼应用基本原理 | 第47页 |
| ·激光拉曼光谱检测在硅材料检测中的应用 | 第47-49页 |
| ·电解实验结果 | 第49-63页 |
| ·电解电压为2.8V的实验结果 | 第49-54页 |
| ·电解电压为3.0V的实验结果 | 第54-63页 |
| 第五章 反应机理的研究 | 第63-70页 |
| ·二氧化硅直接电解还原生成晶体硅反应机理 | 第63-66页 |
| ·电解还原反应机理 | 第63-65页 |
| ·非晶体二氧化硅电解还原生成晶体硅的反应模型 | 第65-66页 |
| ·电解反应动力学分析 | 第66-70页 |
| 第六章 结论与展望 | 第70-72页 |
| ·结论 | 第70-71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 附录 | 第78页 |