摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-11页 |
第1章 绪论 | 第11-31页 |
·显示产业发展现状 | 第11-12页 |
·场发射显示研发现状 | 第12-26页 |
·场发射显示原理 | 第12-15页 |
·第一代场发射显示技术 | 第15-16页 |
·新型场发射显示技术 | 第16-26页 |
·论文研究目标和选题意义 | 第26页 |
·论文准备工作 | 第26-29页 |
·主要实验设备介绍 | 第26-28页 |
·论文工作的前期基础 | 第28-29页 |
·论文的主要内容和章节安排 | 第29-31页 |
第2章 基于纳米SnO_x 岛-C 复合膜的表面传导电子发射阴极 | 第31-51页 |
·本章引言 | 第31页 |
·纳米岛状结构薄膜的形成 | 第31-35页 |
·薄膜的形成原理 | 第31-33页 |
·纳米SnO_x 岛状结构的形成 | 第33-35页 |
·制作流程 | 第35-38页 |
·纳米SnO_x 岛状膜的制备过程 | 第35-36页 |
·无定形碳膜发射层的制备过程 | 第36页 |
·上电极的制作 | 第36-37页 |
·器件的激活过程 | 第37-38页 |
·实验结果与分析 | 第38-49页 |
·电子束蒸发得到的碳膜性质 | 第38-41页 |
·基于纳米SnO_x 岛-C 复合膜SED 阴极的I-V_c 特性及分析 | 第41-43页 |
·基于纳米SnO_x 岛-C 复合膜SED 阴极“负阻效应”分析 | 第43-48页 |
·基于纳米SnO_x 岛-C 复合膜SED 阴极的I-V_a 特性及稳定性 | 第48-49页 |
·本章小结与问题分析 | 第49-51页 |
第3章 基于纳米C 岛-C/W 复合膜的表面传导电子发射阴极 | 第51-66页 |
·本章引言 | 第51页 |
·纳米碳岛的制备 | 第51-54页 |
·C/W 复合膜的制作方法和性质 | 第54-58页 |
·C/W 复合膜的制作方法 | 第54-55页 |
·C/W 复合膜的性质分析 | 第55-58页 |
·激活过程 | 第58-60页 |
·基于纳米C 岛-C/W 复合膜的SED 阴极的电子发射特性 | 第60-64页 |
·基于纳米 C 岛-C/W 复合膜SED 阴极的I-V_c 特性及分析 | 第60-63页 |
·基于纳米 C 岛-C/W 复合膜 SED 阴极的 I-V_a 特性及发射稳定性 | 第63-64页 |
·本章小结与问题分析 | 第64-66页 |
第4章 基于纳米碳岛-Pd-C 多层复合膜的表面传导电子发射阴极 | 第66-78页 |
·本章引言 | 第66页 |
·无定形碳纳米岛的形成 | 第66-67页 |
·基于纳米碳岛-Pd-C 多层复合膜SED 阴极的制作 | 第67页 |
·基于纳米碳岛-Pd-C 多层复合膜SED 阴极的激活过程 | 第67-70页 |
·基于纳米碳岛-Pd-C 多层膜结构SED 的工作特性 | 第70-77页 |
·Pd 层厚度对SED 阴极工作特性的影响 | 第70-76页 |
·阳极电压对电子发射的影响及电子发射的均匀稳定性 | 第76-77页 |
·本章小结与问题分析 | 第77-78页 |
第5章 基于纳米Ag 岛-C 复合膜的表面传导电子发射阴极 | 第78-86页 |
·本章引言 | 第78页 |
·不连续纳米Ag 岛的性质 | 第78-79页 |
·基于纳米Ag 岛-C 复合膜SED 阴极的制备 | 第79-80页 |
·基于纳米Ag 岛-C 复合膜SED 阴极的激活过程 | 第80-81页 |
·基于纳米Ag 岛-C 复合膜SED 阴极工作特性及分析 | 第81-85页 |
·本章小结 | 第85-86页 |
第6章 栅控表面传导电子发射阴极 | 第86-98页 |
·本章引言 | 第86-87页 |
·栅控表面传导电子发射阴极的提出 | 第87-89页 |
·传导电流控制部分 | 第87-88页 |
·电子发射形成部分 | 第88-89页 |
·栅控SED 的制作流程 | 第89-95页 |
·栅极的制作 | 第89-90页 |
·绝缘层的制作 | 第90-91页 |
·半导体层的制作 | 第91-93页 |
·源漏电极的制作 | 第93页 |
·上层“纳米InO_x 岛-C”复合活性层的制作 | 第93-95页 |
·栅控SED 的激活过程 | 第95-96页 |
·栅控SED 的电子发射特性 | 第96-97页 |
·本章小结 | 第97-98页 |
第7章 结论 | 第98-100页 |
参考文献 | 第100-106页 |
致谢 | 第106-107页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第107-108页 |