首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--真空电子技术论文--电子束器件、X射线管、阴极射线管论文--显示器件论文

新型表面传导电子发射阴极研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第1章 绪论第11-31页
   ·显示产业发展现状第11-12页
   ·场发射显示研发现状第12-26页
     ·场发射显示原理第12-15页
     ·第一代场发射显示技术第15-16页
     ·新型场发射显示技术第16-26页
   ·论文研究目标和选题意义第26页
   ·论文准备工作第26-29页
     ·主要实验设备介绍第26-28页
     ·论文工作的前期基础第28-29页
   ·论文的主要内容和章节安排第29-31页
第2章 基于纳米SnO_x 岛-C 复合膜的表面传导电子发射阴极第31-51页
   ·本章引言第31页
   ·纳米岛状结构薄膜的形成第31-35页
     ·薄膜的形成原理第31-33页
     ·纳米SnO_x 岛状结构的形成第33-35页
   ·制作流程第35-38页
     ·纳米SnO_x 岛状膜的制备过程第35-36页
     ·无定形碳膜发射层的制备过程第36页
     ·上电极的制作第36-37页
     ·器件的激活过程第37-38页
   ·实验结果与分析第38-49页
     ·电子束蒸发得到的碳膜性质第38-41页
     ·基于纳米SnO_x 岛-C 复合膜SED 阴极的I-V_c 特性及分析第41-43页
     ·基于纳米SnO_x 岛-C 复合膜SED 阴极“负阻效应”分析第43-48页
     ·基于纳米SnO_x 岛-C 复合膜SED 阴极的I-V_a 特性及稳定性第48-49页
   ·本章小结与问题分析第49-51页
第3章 基于纳米C 岛-C/W 复合膜的表面传导电子发射阴极第51-66页
   ·本章引言第51页
   ·纳米碳岛的制备第51-54页
   ·C/W 复合膜的制作方法和性质第54-58页
     ·C/W 复合膜的制作方法第54-55页
     ·C/W 复合膜的性质分析第55-58页
   ·激活过程第58-60页
   ·基于纳米C 岛-C/W 复合膜的SED 阴极的电子发射特性第60-64页
     ·基于纳米 C 岛-C/W 复合膜SED 阴极的I-V_c 特性及分析第60-63页
     ·基于纳米 C 岛-C/W 复合膜 SED 阴极的 I-V_a 特性及发射稳定性第63-64页
   ·本章小结与问题分析第64-66页
第4章 基于纳米碳岛-Pd-C 多层复合膜的表面传导电子发射阴极第66-78页
   ·本章引言第66页
   ·无定形碳纳米岛的形成第66-67页
   ·基于纳米碳岛-Pd-C 多层复合膜SED 阴极的制作第67页
   ·基于纳米碳岛-Pd-C 多层复合膜SED 阴极的激活过程第67-70页
   ·基于纳米碳岛-Pd-C 多层膜结构SED 的工作特性第70-77页
     ·Pd 层厚度对SED 阴极工作特性的影响第70-76页
     ·阳极电压对电子发射的影响及电子发射的均匀稳定性第76-77页
   ·本章小结与问题分析第77-78页
第5章 基于纳米Ag 岛-C 复合膜的表面传导电子发射阴极第78-86页
   ·本章引言第78页
   ·不连续纳米Ag 岛的性质第78-79页
   ·基于纳米Ag 岛-C 复合膜SED 阴极的制备第79-80页
   ·基于纳米Ag 岛-C 复合膜SED 阴极的激活过程第80-81页
   ·基于纳米Ag 岛-C 复合膜SED 阴极工作特性及分析第81-85页
   ·本章小结第85-86页
第6章 栅控表面传导电子发射阴极第86-98页
   ·本章引言第86-87页
   ·栅控表面传导电子发射阴极的提出第87-89页
     ·传导电流控制部分第87-88页
     ·电子发射形成部分第88-89页
   ·栅控SED 的制作流程第89-95页
     ·栅极的制作第89-90页
     ·绝缘层的制作第90-91页
     ·半导体层的制作第91-93页
     ·源漏电极的制作第93页
     ·上层“纳米InO_x 岛-C”复合活性层的制作第93-95页
   ·栅控SED 的激活过程第95-96页
   ·栅控SED 的电子发射特性第96-97页
   ·本章小结第97-98页
第7章 结论第98-100页
参考文献第100-106页
致谢第106-107页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第107-108页

论文共108页,点击 下载论文
上一篇:金属/SiC界面势反演和应用
下一篇:基于光纤声光相互作用的光纤光栅级联模式耦合