| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第1章 引言 | 第7-22页 |
| ·概述 | 第7-8页 |
| ·选题背景与文献综述 | 第8-21页 |
| ·硅基表面金属化 | 第8-10页 |
| ·离子注入的原理及特点 | 第10-12页 |
| ·离子束辅助沉积技术 | 第12-15页 |
| ·薄膜内应力的问题 | 第15-19页 |
| ·金属/硅界面以及附着力问题 | 第19-21页 |
| ·研究目的及思路 | 第21-22页 |
| 第2章 退火温度对TI/SI 薄膜残余应力及机械性能的影响 | 第22-52页 |
| ·样品制备 | 第22-27页 |
| ·多功能离子辅助沉积装置 | 第22-24页 |
| ·制备工艺 | 第24-26页 |
| ·离子源参数 | 第26-27页 |
| ·退火过程 | 第27页 |
| ·性能测试 | 第27-31页 |
| ·薄膜内应力的测量方法 | 第27-30页 |
| ·其它测试仪器 | 第30-31页 |
| ·实验结果与讨论 | 第31-51页 |
| ·膜厚的控制与测量 | 第31-32页 |
| ·薄膜表面及断裂面形貌 | 第32-35页 |
| ·扫描俄歇纳米探针分析 | 第35-36页 |
| ·XRD 物相分析 | 第36-38页 |
| ·内应力的测量与分析 | 第38-43页 |
| ·晶粒度与粗糙度 | 第43-47页 |
| ·纳米硬度与弹性模量 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第58页 |