| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 第一章 综述 | 第13-19页 |
| ·研究背景 | 第13-14页 |
| ·SrTiO_3材料研究意义简介 | 第13-14页 |
| ·本课题研究的目的与研究意义 | 第14页 |
| ·SrTiO_3材料的物理特性 | 第14-16页 |
| ·国内外研究现状 | 第16-19页 |
| ·实验研究现状 | 第16-17页 |
| ·理论模拟研究现状 | 第17-19页 |
| 第二章 第一性原理及VASP软件介绍 | 第19-31页 |
| ·什么是第一性原理计算 | 第19-20页 |
| ·Born-Oppenheimer近似 | 第20-21页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第21-23页 |
| ·Hartree方程 | 第21页 |
| ·Hartree-Fock方程 | 第21-23页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第23-29页 |
| ·Hobenberg-Kohn定理 | 第23-25页 |
| ·Kohn-Sham(沈吕九)方程 | 第25-26页 |
| ·局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第26-28页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第27页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第27-28页 |
| ·各种密度泛函计算方法及一般计算过程简介 | 第28-29页 |
| ·第一性原理计算软件VASP介绍 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 理想SrTiO_3几何结构及电子结构计算 | 第31-35页 |
| ·理论模型及计算方法 | 第31-32页 |
| ·理论模型 | 第31-32页 |
| ·计算方法 | 第32页 |
| ·计算结果及讨论 | 第32-34页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第32-33页 |
| ·能带结构 | 第33页 |
| ·电子态密度分析 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 SrTiO_3材料空位缺陷的计算讨论 | 第35-49页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·计算方法及细节 | 第35-36页 |
| ·超原胞模型 | 第35-36页 |
| ·计算细节 | 第36页 |
| ·计算结果讨论 | 第36-47页 |
| ·O空位计算结果讨论 | 第36-40页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第36-37页 |
| ·能带结构 | 第37-39页 |
| ·电子态密度 | 第39-40页 |
| ·Sr空位计算结果讨论 | 第40-43页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第40-41页 |
| ·能带结构 | 第41-42页 |
| ·电子态密度 | 第42-43页 |
| ·Ti空位计算结果讨论 | 第43-47页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第44页 |
| ·能带结构 | 第44-46页 |
| ·电子态密度 | 第46-47页 |
| ·三种空位体系的导电性比较 | 第47页 |
| ·本章结论 | 第47-49页 |
| 第五章 SrTiO_3替位掺杂电子结构理论研究 | 第49-65页 |
| ·计算方法及计算细节 | 第49-50页 |
| ·超晶胞模型 | 第49-50页 |
| ·计算细节 | 第50页 |
| ·Y掺杂SrTiO_3电子结构的结果讨论 | 第50-56页 |
| ·Sr_(1-x)Y_xTiO_3和SrTi_(1-x)Y_xO_3掺杂形成能比较 | 第50-51页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第51-52页 |
| ·电子结构分析 | 第52-56页 |
| ·能带结构 | 第52-53页 |
| ·电子态密度 | 第53-56页 |
| ·铟(In)掺杂SrTiO_3电子结构的结果讨论 | 第56-59页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第56-57页 |
| ·电子结构 | 第57-59页 |
| ·能带结构 | 第57-58页 |
| ·电子态密度 | 第58-59页 |
| ·Al掺杂SrTiO_3电子结构的结果讨论 | 第59-63页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第59-60页 |
| ·电子结构 | 第60-63页 |
| ·能带结构 | 第60-62页 |
| ·电子态密度 | 第62-63页 |
| ·三种掺杂体系的导电性比较 | 第63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 发表论文 | 第69-70页 |
| 作者简介 | 第70页 |
| 导师简介 | 第70-71页 |
| 北京化工大学硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第71-72页 |