| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第1章 绪论 | 第6-20页 |
| ·课题背景 | 第6-7页 |
| ·铁电体概述 | 第7-11页 |
| ·铁电体的分类 | 第7-8页 |
| ·铁电体的介观结构特征：铁电畴 | 第8页 |
| ·铁电体的宏观特征：电滞回线和居里温度 | 第8-10页 |
| ·铁电体的主要物理性能及其应用 | 第10-11页 |
| ·铁电薄膜的重要应用及制备方法 | 第11-12页 |
| ·朗道理论 | 第12-15页 |
| ·关于铁电相变的研究 | 第12-13页 |
| ·Landau 相变理论 | 第13-15页 |
| ·量子计算的基本概念 | 第15-18页 |
| ·量子比特 | 第15-17页 |
| ·量子逻辑门 | 第17-18页 |
| ·本论文研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 梯度应变对钛酸钡薄膜介电行为的影响 | 第20-26页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·Pertsev 模型及理论分析 | 第20-23页 |
| ·Pertsev 模型及结论 | 第20-23页 |
| ·对Pertsev 关于BaTiO_3 薄膜理论的分析 | 第23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 利用四能级人工原子实现量子操作 | 第26-37页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·三脚型四能级人工原子 | 第27-28页 |
| ·利用三脚型人工原子的共振激发实现几何相位门 | 第28-32页 |
| ·单量子比特相位门 | 第28-29页 |
| ·Hadamard 门 | 第29-31页 |
| ·两比特相位门 | 第31-32页 |
| ·利用三脚型人工原子实现三比特量子门操作 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 结论 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 附录 图2-2 和图2-3 程序 | 第41-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第44页 |