| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·自旋电子学 | 第7-8页 |
| ·稀磁半导体 | 第8-10页 |
| ·研究概况 | 第8-9页 |
| ·氧化物稀磁半导体 | 第9-10页 |
| ·本论文的选题思路 | 第10-12页 |
| 第二章 基本理论 | 第12-30页 |
| ·第一性原理（First-principles） | 第12-13页 |
| ·哈特利-福克近似（Hartree-Fock Approximation, HFA） | 第13-15页 |
| ·密度泛函理论（DFT） | 第15-19页 |
| ·Hohenberg－Kohn 定理 | 第15-17页 |
| ·Kohn－Sham 方程 | 第17-19页 |
| ·交换关联能泛函 | 第19-22页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第19-21页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第21-22页 |
| ·常用的能带计算方法 | 第22-28页 |
| ·正交平面波（OPW）方法和缀加平面波（APW）方法 | 第22-25页 |
| ·线性缀加平面波（LAPW）方法 | 第25-27页 |
| ·全势线性缀加平面波（FLAPW）方法 | 第27-28页 |
| ·自洽-迭代方法（SCF） | 第28-29页 |
| ·WIEN2K 程序包简介 | 第29-30页 |
| 第三章 Ni 掺杂SnO_2磁性的研究 | 第30-51页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·计算方法 | 第30-31页 |
| ·结果与分析 | 第31-50页 |
| ·Sn_(15)NiO_(32) 和Sn_(14)Ni_2O_(32) 的计算结果与分 | 第31-35页 |
| ·Sn_(15)NiO_(31) 的计算结果与分析 | 第35-40页 |
| ·磁耦合 | 第40-46页 |
| ·加U 对磁性的影响 | 第46-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第四章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 摘要 | 第58-61页 |
| Abstract | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
