基于MEMS硅基底微带阵列天线研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
第一章 引言 | 第10-14页 |
·引言 | 第10页 |
·课题背景及研究意义 | 第10-11页 |
·国内外研究现状 | 第11-12页 |
·主要工作 | 第12-14页 |
第二章 MEMS 硅基底微带天线的电磁辐射 | 第14-28页 |
·微带天线特点 | 第14页 |
·微尺度下的麦克斯韦方程和波动方程 | 第14-17页 |
·尺度效应 | 第15-16页 |
·微尺度下的麦克斯韦方程 | 第16-17页 |
·微带天线的辐射机理 | 第17-18页 |
·微带天线的分析方法 | 第18-24页 |
·传输线模型理论 | 第19-22页 |
·空腔模型理论 | 第22-23页 |
·全波分析理论 | 第23-24页 |
·有限元法 | 第24页 |
·微带天线的馈电方式 | 第24-25页 |
·电磁波的极化方式 | 第25-28页 |
·圆极化波的产生 | 第26页 |
·圆极化波的性质 | 第26-27页 |
·圆极化波的参数 | 第27-28页 |
第三章 MEMS 硅基底圆极化微带天线的设计 | 第28-43页 |
·微带天线单元设计 | 第28-33页 |
·介质基板的选择 | 第29-31页 |
·微带天线单元的尺寸计算 | 第31-32页 |
·馈电网络设计 | 第32-33页 |
·仿真分析 | 第33-38页 |
·微带天线带宽 | 第33-35页 |
·微带天线方向图 | 第35-36页 |
·天线辐射效率 | 第36-37页 |
·轴比 | 第37-38页 |
·功率容量分析 | 第38-43页 |
·聚四氟乙烯基底微带天线功率容量 | 第38-39页 |
·硅基底微带天线功率容量 | 第39-43页 |
第四章 MEMS 硅基底微带阵列天线设计分析 | 第43-57页 |
·阵列天线单元数的设计 | 第43-45页 |
·天线功率上的单元数分析 | 第43页 |
·天线增益上的单元数分析 | 第43-45页 |
·馈电网络设计 | 第45-52页 |
·馈线网络中的功率分配器 | 第46-47页 |
·边射阵设计分析 | 第47-50页 |
·端射阵设计分析 | 第50-52页 |
·微带天线阵列MEMS 加工工艺 | 第52-57页 |
·硅微加工技术 | 第53-55页 |
·MEMS 微带阵列天线的加工工艺流程 | 第55页 |
·天线封装 | 第55-57页 |
第五章 MEMS 硅基底微带阵列天线实验 | 第57-64页 |
·误差分析 | 第57-60页 |
·微带天线单元的误差分析 | 第57-59页 |
·微带天线阵的误差分析 | 第59-60页 |
·实测结果及分析 | 第60-64页 |
·驻波比测试 | 第62页 |
·方向图测试 | 第62-64页 |
第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-70页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第70-71页 |