纳米微晶晶格畸变的高分辨电子显微研究及块体纳米晶铜的应变梯度效应
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-19页 |
| ·纳米晶材料的概述 | 第11-12页 |
| ·纳米晶材料的制备方法 | 第12-13页 |
| ·透射电子显微学简介 | 第13-15页 |
| ·纳米晶体材料的力学行为 | 第15-17页 |
| ·本文研究的内容及意义 | 第17-19页 |
| 2 脉冲电镀法制备块体纳米铜 | 第19-27页 |
| ·脉冲电镀技术 | 第19-21页 |
| ·金属电沉积过程的基本原理 | 第19页 |
| ·电镀层的形成过程 | 第19-20页 |
| ·脉冲电镀的技术特点 | 第20页 |
| ·主要的工艺参数 | 第20-21页 |
| ·样品制备 | 第21-26页 |
| ·实验装置及实验参数 | 第21-23页 |
| ·实验结果分析 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 纳米晶铜高分辨图像的获得和处理 | 第27-42页 |
| ·高分辨图像的成像原理和实验获取 | 第27-32页 |
| ·高分辨图像的成像原理 | 第27-29页 |
| ·高分辨电子显微图像拍摄过程 | 第29-32页 |
| ·对高分辨图像中的噪音处理 | 第32-35页 |
| ·从高分辨图中提取原子柱位置的方法 | 第35-41页 |
| ·原子柱位置提取方法概述 | 第35-37页 |
| ·峰谷提取-灰度平均法 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 高分辨图像分析方法的合理性分析 | 第42-58页 |
| ·介绍高分辨模拟方法--多层法 | 第42-44页 |
| ·高分辨模拟计算程序的构成 | 第44-46页 |
| ·高分辨图像模拟软件说明 | 第46-47页 |
| ·对试样实际情况的高分辨模拟及分析计算 | 第47-57页 |
| ·模拟计算非晶碳膜对高分辨图像中亮点位置影响 | 第48-51页 |
| ·模拟计算非晶铜膜对高分辨图像中亮点位置影响 | 第51-53页 |
| ·模拟计算衬度离位对高分辨图像中亮点位置影响 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 5 纳米晶铜晶粒内部晶格畸变的分析 | 第58-76页 |
| ·纳米材料晶格畸变情况概述 | 第58-59页 |
| ·电镜放大倍数校正 | 第59-61页 |
| ·椭球形纳米晶粒中晶格畸变测量结果和分析 | 第61-65页 |
| ·对晶格畸变现象的解释 | 第65-74页 |
| ·引言 | 第65-69页 |
| ·对椭球形纳米夹杂中非均匀应变状态的解释 | 第69-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 6 晶粒尺寸对材料应变梯度效应的影响 | 第76-88页 |
| ·材料尺寸效应和应变梯度理论简介 | 第76-77页 |
| ·微弯曲实验方法介绍和实验数据分析 | 第77-85页 |
| ·微弯曲实验方法介绍 | 第77-80页 |
| ·实验数据分析 | 第80-85页 |
| ·微弯曲实验结果的解释 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 7 总结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-98页 |
| 攻读学位期间已发表和完成的学术论文 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99页 |
