石墨衬底多晶硅厚膜制备及性能分析
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 太阳电池的发展及现状 | 第11-13页 |
| 1.1.1 能源危机及新能源的发展 | 第11-12页 |
| 1.1.2 太阳电池技术发展历史及现状 | 第12-13页 |
| 1.2 薄膜太阳电池 | 第13-16页 |
| 1.2.1 薄膜太阳电池介绍 | 第13-14页 |
| 1.2.2 发展多晶硅膜太阳电池的意义及现状 | 第14-15页 |
| 1.2.3 多晶硅厚膜电池概念的提出及研究必要性 | 第15页 |
| 1.2.4 多晶硅厚膜电池制备过程关键技术分析 | 第15-16页 |
| 1.3 异质衬底多晶硅薄膜制备技术 | 第16-19页 |
| 1.3.1 直接制备技术 | 第16-17页 |
| 1.3.2 间接制备技术 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容与安排 | 第19-20页 |
| 第2章 多晶硅厚膜制备系统与表征技术 | 第20-26页 |
| 2.1 多晶硅厚膜制备系统 | 第20-23页 |
| 2.1.1 磁控溅射(MS)系统 | 第20-21页 |
| 2.1.2 常规热退火(CTA)系统 | 第21-22页 |
| 2.1.3 快速热退火(RTA)系统 | 第22页 |
| 2.1.4 化学气相沉积(CVD)系统 | 第22-23页 |
| 2.2 多晶硅厚膜表征技术 | 第23-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第23页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| 2.2.3 拉曼光谱(Raman) | 第24-25页 |
| 2.2.4 台阶仪 | 第25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 高效多晶硅膜电池理论厚度分析 | 第26-30页 |
| 3.1 高效多晶硅膜电池的理论厚度分析 | 第26-29页 |
| 3.1.1 多晶硅材料对入射光的吸收 | 第26-27页 |
| 3.1.2 多晶材料少子扩散长度分析 | 第27-29页 |
| 3.1.3 电池厚度分析 | 第29页 |
| 3.2 本章小结 | 第29-30页 |
| 第4章 铝诱导法低温制备多晶硅薄膜籽晶层 | 第30-41页 |
| 4.1 衬底的选择及处理 | 第30-31页 |
| 4.1.1 衬底选择 | 第30页 |
| 4.1.2 衬底处理 | 第30-31页 |
| 4.2 薄膜制备过程 | 第31页 |
| 4.3 正向与倒置铝诱导法的选择 | 第31-32页 |
| 4.4 铝诱导过程叠层结构变化及薄膜结构分析 | 第32-33页 |
| 4.5 倒置铝诱导法制备多晶硅籽晶层工艺优化 | 第33-40页 |
| 4.5.1 非晶硅沉积衬底温度的优化 | 第33-35页 |
| 4.5.2 Al/Si厚度比的优化 | 第35-37页 |
| 4.5.3 退火温度的优化 | 第37页 |
| 4.5.4 退火时间的优化 | 第37-39页 |
| 4.5.5 晶化机理分析 | 第39-40页 |
| 4.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第5章 磁控溅射高温制备多晶硅薄膜籽晶层 | 第41-49页 |
| 5.1 衬底处理及薄膜生长 | 第41页 |
| 5.2 衬底温度对多晶硅薄膜制备的影响 | 第41-43页 |
| 5.3 溅射时长对多晶硅薄膜制备的影响 | 第43-45页 |
| 5.4 择优取向及转变的机理分析 | 第45-48页 |
| 5.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第6章 CVD沉积生长多晶硅厚膜及电池制备 | 第49-53页 |
| 6.1 沉积生长多晶硅厚膜及其性能分析 | 第49-50页 |
| 6.1.1 多晶硅厚膜沉积生长 | 第49页 |
| 6.1.2 多晶硅厚膜质量表征分析 | 第49-50页 |
| 6.2 多晶硅厚膜电池制备 | 第50-52页 |
| 6.2.1 电池制备过程 | 第50-51页 |
| 6.2.2 电池Ⅰ-Ⅴ曲线测试 | 第51-52页 |
| 6.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第7章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 7.1 本文的主要成果 | 第53-54页 |
| 7.2 本文的不足之处及未来工作建议 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
