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钴镍双金属氧化物及其复合物的制备及电化学性能研究

摘要第3-4页
abstract第4页
第1章 绪论第9-21页
    1.1 前言第9页
    1.2 超级电容器第9-15页
        1.2.1 超级电容器的结构第10-11页
        1.2.2 超级电容器的分类和储能机理第11-13页
        1.2.3 超级电容器的电极材料第13-15页
    1.3 石墨烯第15-18页
        1.3.1 石墨烯的结构和性质第16页
        1.3.2 石墨烯的制备工艺第16-18页
    1.4 金属氧化物/石墨烯复合材料第18页
    1.5 本论文研究内容及意义第18-21页
第2章 实验方法及原理第21-33页
    2.1 实验试剂与仪器第21-22页
        2.1.1 实验试剂第21-22页
        2.1.2 实验仪器第22页
    2.2 材料的制备第22-27页
        2.2.1 钴镍双金属氧化物的制备第22-23页
        2.2.2 氧化石墨的制备第23-25页
        2.2.3 钴镍双金属氧化物/rGo的制备第25-26页
        2.2.4 研究电极的制备第26-27页
    2.3 结构表征手段第27-29页
        2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)第27页
        2.3.2 透射电子显微镜(TEM)第27-28页
        2.3.3 X-射线衍射(XRD)第28页
        2.3.4 拉曼光谱(Raman)第28-29页
        2.3.5 X射线光电子能谱(XPS)第29页
        2.3.6 N_2等温吸脱附测试第29页
    2.4 材料电化学测试方法第29-33页
        2.4.1 三电极体系第29-30页
        2.4.2 循环伏安测试第30-31页
        2.4.3 恒电流充放电测试第31-32页
        2.4.4 交流阻抗测试第32-33页
第3章 钴镍双金属氧化物的制备与表征第33-61页
    3.1 引言第33页
    3.2 正交实验设计及结果分析第33-41页
        3.2.1 正交实验方案设计第33-35页
        3.2.2 正交实验结果分析第35-36页
        3.2.3 正交实验样品的X射线衍射(XRD)分析第36-38页
        3.2.4 正交实验样品的扫描电镜(SEM)分析第38-41页
    3.3 表面活性剂SDS在 NiCo_2O_4 花状微球成长过程中的作用第41-47页
        3.3.1 NiCo_2O_4 花状微球的形成过程第41-43页
        3.3.2 SDS在形貌形成中的作用第43-47页
    3.4 最佳制备工艺条件下材料的表征第47-60页
        3.4.1 样品的X射线衍射(XRD)分析第47-48页
        3.4.2 N_2 等温吸脱附实验分析第48-50页
        3.4.3 扫描电镜(SEM)分析第50-51页
        3.4.4 透射电镜(TEM)分析第51-53页
        3.4.5 X射线光电子能谱(XPS)分析第53-54页
        3.4.6 循环伏安测试(CV)分析第54-55页
        3.4.7 恒电流充放电(GCD)分析第55-57页
        3.4.8 交流阻抗测试(EIS)分析第57-60页
    3.5 本章小结第60-61页
第4章 钴镍双金属氧化物/rGO复合材料的制备及表征第61-87页
    4.1 引言第61页
    4.2 正交实验设计及结果分析第61-73页
        4.2.1 正交实验方案设计第61-63页
        4.2.2 正交实验结果分析第63-65页
        4.2.3 正交实验样品的X射线衍射(XRD)分析第65-67页
        4.2.4 正交实验样品的扫描电镜(SEM)分析第67-73页
    4.3 最佳制备工艺条件下材料的表征第73-85页
        4.3.1 X射线衍射(XRD)分析第73-74页
        4.3.2 N_2 等温吸脱附实验分析第74-75页
        4.3.3 扫描电镜(SEM)分析第75-76页
        4.3.4 透射电镜(TEM)分析第76-77页
        4.3.5 X射线光电子能谱(XPS)分析第77-79页
        4.3.6 拉曼光谱(Raman)分析第79-80页
        4.3.7 循环伏安测试(CV)分析第80页
        4.3.8 恒电流充放电测试(GCD)分析第80-82页
        4.3.9 交流阻抗测试(EIS)分析第82-85页
    4.4 本章小结第85-87页
第5章 结论与展望第87-89页
    5.1 结论第87-88页
    5.2 工作展望第88-89页
参考文献第89-97页
发表论文和参加科研情况说明第97-99页
致谢第99页

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