| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 纳米材料的基本特性 | 第12-16页 |
| 1.2.1 量子尺寸效应 | 第13-14页 |
| 1.2.2 表面效应 | 第14-15页 |
| 1.2.3 宏观量子隧道效应 | 第15页 |
| 1.2.4 体积效应 | 第15-16页 |
| 1.2.5 介电限域效应 | 第16页 |
| 1.3 半导体纳米材料的量子尺寸效应 | 第16-22页 |
| 1.4 量子尺寸效应的化学键理论方法 | 第22-26页 |
| 1.5 半导体纳米材料的结构优化 | 第26-28页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第28-30页 |
| 第2章 Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体的结构优化 | 第30-46页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 计算方法和参数设置 | 第30-31页 |
| 2.3 闪锌矿结构半导体晶体的第一性原理计算 | 第31-37页 |
| 2.3.1 闪锌矿结构半导体结构优化 | 第31-33页 |
| 2.3.2 闪锌矿结构半导体的电子结构 | 第33-37页 |
| 2.4 纤锌矿结构半导体晶体的第一性原理计算 | 第37-43页 |
| 2.4.1 纤锌矿结构半导体结构优化 | 第37-38页 |
| 2.4.2 纤锌矿结构半导体的电子结构 | 第38-43页 |
| 2.5 A_6B_4笼的结构优化 | 第43-45页 |
| 2.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 半导体CdTe纳米晶的制备和能隙研究 | 第46-55页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 半导体CdTe纳米晶的制备 | 第46-52页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第46-47页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第47页 |
| 3.2.3 实验方法 | 第47页 |
| 3.2.4 样品表征 | 第47-52页 |
| 3.3 半导体CdTe纳米晶的能隙计算 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 Ⅱ-Ⅵ族二元半导体纳米晶的能隙计算 | 第55-67页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 计算方法和参数 | 第55-56页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第56-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 Ⅱ-Ⅵ族三元半导体纳米合金的能隙计算 | 第67-78页 |
| 5.1 引言 | 第67-68页 |
| 5.2 计算方法和参数 | 第68-70页 |
| 5.2.1 确定初始计算参数 | 第68页 |
| 5.2.2 计算公式 | 第68-70页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第70-77页 |
| 5.3.1 (ZnS)_x(CdS)_(1-x)纳米合金的能隙计算 | 第71-73页 |
| 5.3.2 (CdS)_x(CdSe)_(1-x)纳米合金的能隙计算 | 第73页 |
| 5.3.3 (ZnS)_x(CdS)_(1-x)纳米合金的能隙计算 | 第73页 |
| 5.3.4 (ZnSe)_x(CdSe)_(1-x)纳米合金的能隙计算 | 第73-77页 |
| 5.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第6章 Ⅱ-Ⅵ族Ⅱ类半导体纳米合金的红移现象研究 | 第78-90页 |
| 6.1 引言 | 第78页 |
| 6.2 计算方法和参数 | 第78-79页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第79-89页 |
| 6.3.1 (CdSe)_x(CdTe)_(1-x)纳米合金的能隙计算 | 第79-84页 |
| 6.3.2 (ZnTe)_x(CdSe)_(1-x)纳米合金能隙的预测 | 第84-87页 |
| 6.3.3 (CdS)_x(ZnTe)_(1-x)纳米合金能隙的预测 | 第87-89页 |
| 6.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 结论 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-105页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106页 |
