| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 Ni基片的性质 | 第7页 |
| 1.2 ZrB_2材料的性质 | 第7页 |
| 1.3 ZrB_2薄膜材料的制备方法 | 第7-8页 |
| 1.4 GaN材料基本性质 | 第8-9页 |
| 1.4.1 GaN晶体结构特性 | 第8-9页 |
| 1.4.2 GaN光学性质 | 第9页 |
| 1.4.3 GaN电学性质 | 第9页 |
| 1.5 GaN薄膜制备技术 | 第9-11页 |
| 1.6 GaN外延薄膜的生长模式 | 第11-12页 |
| 1.7 本文研究内容及意义 | 第12-13页 |
| 1.8 本章小结 | 第13-14页 |
| 2 实验设备与表征方法 | 第14-23页 |
| 2.1 实验设备 | 第14-17页 |
| 2.1.1 磁控溅射设备 | 第14-15页 |
| 2.1.2 ECR-PEMOCVD半导体薄膜功能材料制备设备 | 第15-17页 |
| 2.2 薄膜材料的表征方法 | 第17-22页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第17-18页 |
| 2.2.2 反射高能电子衍射(RHEED) | 第18-19页 |
| 2.2.3 电子扫描显微镜(SEM) | 第19-20页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第20-21页 |
| 2.2.5 光致发光谱(PL) | 第21-22页 |
| 2.2.6 电流-电压测试(I-V) | 第22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 3 磁控溅射制备ZrB_2工艺条件的探索 | 第23-35页 |
| 3.1 不同气压下ZrB_2薄膜的制备 | 第23-26页 |
| 3.1.1 实验参数 | 第23-24页 |
| 3.1.2 实验结果分析 | 第24-26页 |
| 3.2 不同氩气流量下ZrB_2薄膜的制备 | 第26-28页 |
| 3.2.1 实验参数 | 第26页 |
| 3.2.2 实验结果分析 | 第26-28页 |
| 3.3 不同溅射时间下ZrB_2薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 3.3.1 实验参数 | 第28页 |
| 3.3.2 实验结果分析 | 第28-30页 |
| 3.4 不同温度下ZrB_2薄膜的制备 | 第30-34页 |
| 3.4.1 实验参数 | 第30页 |
| 3.4.2 实验结果分析 | 第30-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 ECR-PEMOCVD制备GaN/ZrB_2/Ni工艺条件的探索 | 第35-46页 |
| 4.1 不同TMGa流量下GaN低温缓冲层的制备 | 第35-39页 |
| 4.1.1 实验参数 | 第35-36页 |
| 4.1.2 实验结果与分析 | 第36-39页 |
| 4.2 不同TMGa流量下GaN生长层的制备 | 第39-44页 |
| 4.2.1 实验参数 | 第39-40页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第40-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |