基于GaN HEMT的脉冲高功率放大器的分析与设计
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-11页 |
| 1.2.1 半导体器件发展动态概述 | 第8-9页 |
| 1.2.2 GaN HEMT功率放大器的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 本课题的主要工作 | 第11-13页 |
| 2 功率放大器的基本理论 | 第13-24页 |
| 2.1 微波二端口网络及其S参数 | 第13-14页 |
| 2.2 功率放大器的主要指标 | 第14-18页 |
| 2.2.1 工作频率 | 第14-15页 |
| 2.2.2 增益与增益平坦度 | 第15-16页 |
| 2.2.3 输出功率 | 第16页 |
| 2.2.4 效率 | 第16-17页 |
| 2.2.5 输入输出驻波比(VSWR) | 第17页 |
| 2.2.6 脉冲时域参数 | 第17-18页 |
| 2.3 功率放大器的匹配方法 | 第18-19页 |
| 2.4 功率放大器的分类 | 第19-21页 |
| 2.5 稳定性分析 | 第21-23页 |
| 2.6 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 高功率放大器的链路设计 | 第24-40页 |
| 3.1 高功率放大器的设计指标 | 第24页 |
| 3.2 链路方案及器件选择 | 第24-26页 |
| 3.2.1 链路方案 | 第24页 |
| 3.2.2 GaN功率管的选择 | 第24-26页 |
| 3.2.3 板材选取 | 第26页 |
| 3.3 直流偏置电路设计 | 第26-27页 |
| 3.4 射频电路设计 | 第27-35页 |
| 3.4.1 驱动级仿真 | 第27-32页 |
| 3.4.2 功率级仿真 | 第32-35页 |
| 3.5 结构设计与电路布局 | 第35-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 4 脉冲调制电路与电源设计 | 第40-53页 |
| 4.1 脉冲功率放大器的调制方式 | 第40-41页 |
| 4.2 脉冲调制电路的设计与分析 | 第41-47页 |
| 4.2.1 指标要求 | 第41页 |
| 4.2.2 器件选型 | 第41-43页 |
| 4.2.3 储能电容 | 第43-44页 |
| 4.2.4 负载电路 | 第44-46页 |
| 4.2.5 调制电路的仿真与分析 | 第46-47页 |
| 4.3 电源电路以及栅极保护电路设计 | 第47-49页 |
| 4.4 电路的版图设计 | 第49-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 脉冲功率放大器的调试与测试 | 第53-63页 |
| 5.1 功率放大器的调试 | 第53-54页 |
| 5.1.1 调试的方法 | 第53页 |
| 5.1.2 调试的注意事项 | 第53-54页 |
| 5.2 脉冲功率放大器的测试 | 第54-62页 |
| 5.2.1 测试内容 | 第54页 |
| 5.2.2 测试方法 | 第54-56页 |
| 5.2.3 测试结果及分析 | 第56-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 6 总结与展望 | 第63-64页 |
| 6.1 本文的主要工作 | 第63页 |
| 6.2 后续工作与展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文情况 | 第69页 |
