无扩散阻挡层Cu(C)和Cu(Ti)薄膜的制备及表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·扩散阻挡层研究现状 | 第10-13页 |
| ·扩散阻挡层材料 | 第10-11页 |
| ·扩散阻挡层制备方法 | 第11页 |
| ·扩散阻挡层的微结构 | 第11-12页 |
| ·扩散阻挡层的厚度 | 第12页 |
| ·小结 | 第12-13页 |
| ·无扩散阻挡层研究现状 | 第13-20页 |
| ·无扩散阻挡层介绍 | 第13-14页 |
| ·无扩散阻挡层前景 | 第14-15页 |
| ·无扩散阻挡层的制备 | 第15页 |
| ·无扩散阻挡层中添加元素 | 第15-17页 |
| ·扩散阻挡机理 | 第17-20页 |
| ·小结 | 第20页 |
| ·本课题的研究内容 | 第20-22页 |
| 2 薄膜制备及分析方法 | 第22-31页 |
| ·薄膜制备方法 | 第22-26页 |
| ·磁控溅射 | 第23页 |
| ·磁控溅射离子镀膜机MP8680 | 第23-24页 |
| ·三靶磁控溅射系统K07-072 | 第24-25页 |
| ·退火设备 | 第25-26页 |
| ·薄膜分析方法 | 第26-31页 |
| ·电子探针 | 第26-27页 |
| ·俄歇电子能谱 | 第27-28页 |
| ·二次离子质谱 | 第28-29页 |
| ·X射线衍射 | 第29页 |
| ·透射电镜 | 第29-30页 |
| ·四探针 | 第30-31页 |
| 3 Cu(C)薄膜的微结构以及电学性能分析 | 第31-48页 |
| ·俄歇电子能谱(AES)分析结果 | 第31-34页 |
| ·二次离子质谱(SIMS)分析结果 | 第34页 |
| ·四探针分析结果 | 第34-36页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析结果 | 第36-38页 |
| ·透射电镜(TEM)分析结果 | 第38-45页 |
| ·截面样品电镜分析 | 第38-42页 |
| ·平面样品电镜分析 | 第42-45页 |
| ·漏电流分析结果 | 第45-46页 |
| ·分析与讨论 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 Cu(Ti)薄膜的微结构及电阻率性能分析 | 第48-58页 |
| ·电子探针(EPMA)结果分析 | 第49页 |
| ·电阻率分析结果 | 第49-51页 |
| ·X射线衍射(XRD)结果分析 | 第51-52页 |
| ·透射电镜(TEM)结果分析 | 第52-56页 |
| ·Cu(0.4 at.%Ti)截面样品电镜分析 | 第52-53页 |
| ·Cu(0.4 at.%Ti)平面样品电镜分析 | 第53-54页 |
| ·Cu(2.2 at.%Ti)截面电镜分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
