| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| 1.1 本课题研究的意义 | 第6页 |
| 1.2 本课题研究的背景 | 第6-9页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第9-10页 |
| 第二章 变组分AlGaN基辐射探测器的原理与物理模型 | 第10-27页 |
| 2.1 PIN型辐射探测器的机理 | 第10-12页 |
| 2.2 辐射探测器相关参数 | 第12-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 变组分AlGaN基辐射探测器的器件结构及仿真特性 | 第27-36页 |
| 3.1 Silvaco TCAD软件介绍 | 第27-30页 |
| 3.2 器件结构 | 第30-31页 |
| 3.3 能带图 | 第31-32页 |
| 3.4 I-V特性 | 第32-33页 |
| 3.5 光谱响应 | 第33-34页 |
| 3.6 量子效率 | 第34-35页 |
| 3.7 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 变组分AlGaN基辐射探测器的性能优化 | 第36-53页 |
| 4.1 N区载流子对光电流的影响 | 第36-39页 |
| 4.2 P区载流子对光电流的影响 | 第39-43页 |
| 4.3 偏压对辐射探测器的影响 | 第43-44页 |
| 4.4 优化i层浓度和厚度 | 第44-46页 |
| 4.5 优化P层浓度与厚度 | 第46-49页 |
| 4.6 优化N层浓度与厚度 | 第49-51页 |
| 4.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |