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CuSbS2和Cu2ZnSnS4 p-n结纳米线光阳极的制备、表征及其光电性能研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第10-32页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 光催化分解水第12-18页
        1.2.1 概述第12页
        1.2.2 反应机理第12-15页
        1.2.3 反应装置第15-16页
        1.2.4 光解水过程评估第16-18页
    1.3 半导体光催化剂第18-26页
        1.3.1 影响光催化剂效率的因素第18-21页
        1.3.2 可见光光催化剂材料要求第21-22页
        1.3.3 常见的可见光光催化剂改良方法第22-26页
    1.4 可见光光催化剂研究进展第26-30页
        1.4.1 金属氧化物光催化剂第26-27页
        1.4.2 金属硫化物光催化剂第27-30页
    1.5 选题意义及研究内容第30-32页
第二章 实验方法第32-39页
    2.1 实验试剂第32-34页
    2.2 实验仪器第34页
    2.3 表征方法第34-36页
        2.3.1 X射线衍射分析(XRD)第34-35页
        2.3.2 扫描电子显微技术(SEM)第35页
        2.3.3 透射电子显微技术(TEM)第35页
        2.3.4 紫外可见漫反射光谱技术(UV-vis)第35页
        2.3.5 荧光光谱分析(PL)第35-36页
        2.3.6 X射线光电子能谱分析(XPS)第36页
    2.4 光电性能测试第36-39页
        2.4.1 线性扫描伏安测试(LSV)第36-37页
        2.4.2 恒电压测试(I-t)第37页
        2.4.3 电化学交流阻抗谱测试(EIS)第37页
        2.4.4 莫特-肖特基曲线(Mott-schottky曲线)第37-38页
        2.4.5 光电转换效率测试(IPCE)第38页
        2.4.6 稳定性测试(I-t)第38-39页
第三章 ZnO/CdS/CuSbS_2纳米线阵列的制备及其光电性能研究第39-54页
    3.1 前言第39-40页
    3.2 实验部分第40-42页
        3.2.1 样品的制备第40-42页
        3.2.2 样品的表征及性能测试第42页
    3.3 结果与讨论第42-52页
        3.3.1 结构、形貌及光学性质第42-47页
        3.3.2 光电性能测试第47-51页
        3.3.3 光电催化活性提高机理第51-52页
    3.4 本章小结第52-54页
第四章 ZnO/CdS/Cu_2ZnSnS_4纳米线阵列的制备及其光电性能研究第54-69页
    4.1 引言第54-55页
    4.2 实验部分第55-56页
        4.2.1 样品的制备第55-56页
        4.2.2 材料的表征及光电性能测试第56页
    4.3 结果与讨论第56-68页
        4.3.1 材料的结构与形貌表征第56-62页
        4.3.2 样品的光电性能分析第62-67页
        4.3.3 光电催化机理第67-68页
    4.4 本章小结第68-69页
结论与展望第69-71页
    论文主要工作第69页
    论文主要创新点第69-70页
    工作展望第70-71页
参考文献第71-83页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第83-84页
致谢第84-85页
附件第85页

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