| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 电致变色材料 | 第15-16页 |
| 1.1.1 过渡金属氧化物 | 第15-16页 |
| 1.1.2 有机聚合变色材料 | 第16页 |
| 1.1.3 复合变色材料 | 第16页 |
| 1.2 电致变色器件 | 第16-19页 |
| 1.2.1 透明导电层 | 第17页 |
| 1.2.2 对电极层 | 第17页 |
| 1.2.3 电解质层 | 第17-19页 |
| 1.3 WO_3电致变色薄膜的研究概况 | 第19-25页 |
| 1.3.1 WO_3的晶体结构和理化性质 | 第19页 |
| 1.3.2 WO_3薄膜的电致变色机理 | 第19-20页 |
| 1.3.3 WO_3薄膜的制备方法 | 第20-23页 |
| 1.3.4 WO_3薄膜的改性研究 | 第23-25页 |
| 1.4 本文的研究目的、内容及创新点 | 第25-27页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第25页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第25页 |
| 1.4.3 本文创新点 | 第25-27页 |
| 第二章 薄膜与器件的制备和表征测试 | 第27-37页 |
| 2.1 磁控溅射镀膜技术 | 第27-30页 |
| 2.1.1 辉光放电的产生机理 | 第27-29页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第29-30页 |
| 2.2 试样制备过程 | 第30-33页 |
| 2.2.1 基片及靶材预处理 | 第30-31页 |
| 2.2.2 溅射镀膜 | 第31-32页 |
| 2.2.3 器件的封装 | 第32-33页 |
| 2.3 薄膜和器件的表征测试 | 第33-36页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第34页 |
| 2.3.3 微控四探针测试仪与台阶仪 | 第34页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第34-35页 |
| 2.3.5 分光光度计 | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 溅射气压对WO_3薄膜电致变色器件性能的影响 | 第37-43页 |
| 3.1 器件的制备工艺 | 第37-38页 |
| 3.2 WO_3及TiO_2薄膜的相结构 | 第38-39页 |
| 3.3 WO_3及TiO_2薄膜的表面形貌(AFM) | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 掺N对WO_3薄膜电致变色器件性能的影响 | 第43-53页 |
| 4.1 WO_3：N薄膜的制备 | 第43页 |
| 4.2 WO_3：N薄膜的相结构 | 第43-44页 |
| 4.3 WO_3：N薄膜的表面形貌 | 第44-46页 |
| 4.4 WO_3：N薄膜的XPS分析 | 第46-48页 |
| 4.5 掺氮WO_3薄膜电致变色器件的光电性能 | 第48-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 单基片式电致变色器件制备初探 | 第53-66页 |
| 5.1 单基片电致变色器件的膜层设计和选材 | 第54页 |
| 5.2 ZAO薄膜的制备及性能研究 | 第54-60页 |
| 5.2.1 ZAO薄膜的制备工艺 | 第54-55页 |
| 5.2.2 ZAO薄膜的物相分析 | 第55-56页 |
| 5.2.3 ZAO薄膜的表面形貌 | 第56-57页 |
| 5.2.4 ZAO薄膜的电阻率 | 第57-58页 |
| 5.2.5 ZAO薄膜的透光率 | 第58-60页 |
| 5.3 LiPON薄膜为电解质层的单基片式器件 | 第60-62页 |
| 5.3.1 LiPON薄膜和其它功能层的制备工艺 | 第60-61页 |
| 5.3.2 器件变色测试与分析 | 第61-62页 |
| 5.4 LLTO薄膜为电解质层的单基片式器件 | 第62-64页 |
| 5.4.1 嵌锂过程 | 第62-64页 |
| 5.4.2 器件的变色测试与结果分析 | 第64页 |
| 5.5 透明电极和对电极层之间设置阻挡层 | 第64-65页 |
| 5.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-78页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第78页 |