| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 第一节 纳米技术 | 第12-13页 |
| 第二节 低维纳米材料 | 第13-24页 |
| 2.1 碳纳米管 | 第13-17页 |
| 2.2 金属管状纳米材料 | 第17-21页 |
| 2.3 类石墨烯纳米材料 | 第21-24页 |
| 第三节 本章小结 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-32页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第32-54页 |
| 第一节 经典分子动力学模拟简介 | 第32-34页 |
| 1.1 分子动力学模拟简介 | 第32-33页 |
| 1.2 分子动力学基本原理 | 第33-34页 |
| 第二节 势函数 | 第34-38页 |
| 2.1 Tersoff 势 | 第34-35页 |
| 2.2 Glue 势 | 第35-36页 |
| 2.3 EAM 势 | 第36-37页 |
| 2.4 LJ 势 | 第37-38页 |
| 第三节 边界条件 | 第38-39页 |
| 3.1 周期性边界条件和最小影像约定 | 第38页 |
| 3.2 非周期性边界条件 | 第38-39页 |
| 第四节 常用的模拟系综 | 第39-40页 |
| 4.1 微正则系综—NVE | 第39页 |
| 4.2 正则系综—NVT | 第39页 |
| 4.3 等温等压系综—NPT | 第39-40页 |
| 第五节 常用的控温和控压方法 | 第40-43页 |
| 5.1 速度标度热浴 | 第40页 |
| 5.2 Anderson 热浴 | 第40页 |
| 5.3 Berendsen 热浴 | 第40-41页 |
| 5.4 Nose-Hoover 热浴 | 第41页 |
| 5.5 Anderson 压力浴 | 第41-42页 |
| 5.6 Berendsen 压力浴 | 第42-43页 |
| 第六节 动力学积分方法 | 第43-46页 |
| 6.1 Verlet算法 | 第43页 |
| 6.2 Velocity-Verlet算法 | 第43-44页 |
| 6.3 Leap-frog算法 | 第44页 |
| 6.4 Gear算法 | 第44页 |
| 6.5 Beeman算法 | 第44-45页 |
| 6.6 Rugge-Kutta算法 | 第45-46页 |
| 第七节 经典分子动力学模拟软件包—LAMMPS | 第46-50页 |
| 7.1 LAMMPS简介、功能和应用举例 | 第46-49页 |
| 7.2 修改和扩展LAMMPS源代码 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 第三章 碳管约束下的金属管状纳米材料的生长 | 第54-93页 |
| 第一节 研究背景 | 第54-58页 |
| 1.1 金纳米管研究现状 | 第54-55页 |
| 1.2 银、铜纳米管研究背景 | 第55-56页 |
| 1.3 合金纳米管生产的困难—“自净化效应” | 第56-58页 |
| 第二节 模型和计算方法 | 第58-60页 |
| 2.1 模型 | 第58-59页 |
| 2.2 计算方法 | 第59-60页 |
| 第三节 结果和讨论 | 第60-87页 |
| 3.1 碳管约束下金纳米管的生长 | 第60-67页 |
| 3.2 碳管约束下银、铜纳米管的生长 | 第67-75页 |
| 3.3 碳管约束下二元金属合金纳米管的生长 | 第75-87页 |
| 第四节 本章小结 | 第87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 第四章 含有(4|8)线缺陷的硼氮纳米带的电子结构和磁性性质 | 第93-109页 |
| 第一节 研究背景 | 第93-94页 |
| 第二节 模型和计算方法 | 第94-96页 |
| 第三节 结果和讨论 | 第96-105页 |
| 3.1 具有两个B边的(4|4)-LD-(4|8)-ZBNNR | 第96-98页 |
| 3.2 具有两个N边的(4|4)-LD-(4|8)-ZBNNR | 第98-99页 |
| 3.3 (n,m)-LD-(4|8)-ABNNR(m≤n) | 第99-101页 |
| 3.4 一边或者两边氢吸附的(4,4)-LD-(4|8)-ZBNNR | 第101-103页 |
| 3.5 二维BN片中LD-(4|8)的稳定性 | 第103-105页 |
| 第四节 本章小结 | 第105页 |
| 参考文献 | 第105-109页 |
| 第五章 含有硫线空位缺陷的单层二硫化钼和二硫化钼纳米带的电子结构和磁性性质 | 第109-127页 |
| 第一节 研究背景 | 第109-110页 |
| 第二节 模型和计算方法 | 第110-112页 |
| 2.1 模型 | 第110-112页 |
| 2.2 计算方法 | 第112页 |
| 第三节 结果和讨论 | 第112-122页 |
| 3.1 含有硫线空位缺陷的单层二硫化钼 | 第112-116页 |
| 3.2 含有硫线空位缺陷的二硫化钼纳米带 | 第116-120页 |
| 3.3 单层二硫化钼中硫线空位缺陷的稳定性 | 第120-122页 |
| 第四节 本章小结 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 博士期间发表和待发表论文列表 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128-131页 |
