| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 先驱体转化法制备碳化硅陶瓷的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.1 化学法合成含异质元素的碳化硅陶瓷先驱体 | 第9-10页 |
| 1.2.2 物理混合法制备含异质元素的碳化硅陶瓷先驱体 | 第10页 |
| 1.3 改性碳化硅陶瓷的电磁性能在微波领域的应用 | 第10-14页 |
| 1.3.1 材料的电磁参数与吸收电磁波的基本规律 | 第11-12页 |
| 1.3.2 改性碳化硅陶瓷的电磁性能研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 碳化硅陶瓷的电磁性能测试方法 | 第14-19页 |
| 1.4.1 自由空间法 | 第15-16页 |
| 1.4.2 谐振腔法 | 第16-17页 |
| 1.4.3 同轴传输/反射法 | 第17-19页 |
| 1.5 论文结构与安排 | 第19-21页 |
| 2 实验过程及表征方法 | 第21-27页 |
| 2.1 原材料及试剂 | 第21页 |
| 2.2 含铍聚碳硅烷先驱体的合成 | 第21页 |
| 2.3 含铍碳化硅陶瓷粉末的制备 | 第21-22页 |
| 2.4 分析与表征方法 | 第22-27页 |
| 3 先驱体的合成工艺对含铍碳化硅陶瓷电磁性能的影响 | 第27-43页 |
| 3.1 先驱体的合成 | 第27-29页 |
| 3.2 先驱体的组成与结构分析 | 第29-33页 |
| 3.3 铍元素对碳化硅陶瓷电磁性能的影响 | 第33-36页 |
| 3.3.1 铍的掺杂对电磁性能的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.2 铍的掺杂量对电磁性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 先驱体的合成机理探索 | 第36-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-43页 |
| 4 陶瓷工艺对含铍碳化硅陶瓷的电磁性能影响 | 第43-55页 |
| 4.1 含铍聚碳硅烷先驱体的陶瓷化过程研究 | 第43-48页 |
| 4.2 含铍碳化硅陶瓷的电磁性能的研究 | 第48-51页 |
| 4.2.1 陶瓷化温度对含铍碳化硅陶瓷的电磁性能的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.2 陶瓷密度对含铍碳化硅陶瓷的电磁参数的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 含铍碳化硅陶瓷的电磁参数的改变机理探索 | 第51-53页 |
| 4.3.1 含铍碳化硅陶瓷的相结构分析 | 第51-53页 |
| 4.3.2 工艺参数对电磁参数的改变机理 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 5 结论与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 结论 | 第55页 |
| 5.2 展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
