| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 半导体纳米电子器件的研究进展 | 第9-11页 |
| 1.2 ZnO 纳米线肖特基器件的研究进展 | 第11-18页 |
| 1.2.1 ZnO 纳米线的研究 | 第11-13页 |
| 1.2.2 一维纳米材料的器件构筑研究 | 第13-15页 |
| 1.2.3 一维半导体纳米材料肖特基器件的研究 | 第15-18页 |
| 1.3 目前存在的主要问题 | 第18页 |
| 1.4 研究思路、目的以及主要内容 | 第18-21页 |
| 1.4.1 研究思路与目的 | 第18-19页 |
| 1.4.2 论文研究主要内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 ZnO 纳米线的合成、表征 | 第25-33页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 实验方法 | 第25-26页 |
| 2.2.1 化学气相沉积法合成 ZnO 纳米线 | 第25-26页 |
| 2.2.2 ZnO 纳米线的表征 | 第26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 EBL 构筑单根纳米线原型器件 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 电子束曝光技术的发展与原理 | 第33-34页 |
| 3.3 ZnO 纳米线原型器件的构筑 | 第34-43页 |
| 3.3.1 基本刻蚀流程 | 第35页 |
| 3.3.2 EBL 构筑器件的实验过程 | 第35-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 ZnO 纳米线肖特基势垒的电流饱和性能研究 | 第47-67页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 ZnO 纳米线肖特基器件饱和性能的研究背景 | 第47-50页 |
| 4.3 EBL 法构筑的 ZnO 纳米线肖特基原型器件的饱和性能 | 第50-55页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第50-51页 |
| 4.3.2 实验结果与讨论 | 第51-52页 |
| 4.3.3 电流饱和内在机制 | 第52-55页 |
| 4.4 电流饱和特性的拓展研究 | 第55-63页 |
| 4.4.1 实验方法 | 第55页 |
| 4.4.2 实验结果与讨论 | 第55-61页 |
| 4.4.3 实验结果分析 | 第61-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 论文总结 | 第67-69页 |
| 硕士期间发表和已完成的工作 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
