基于国产THGEM热中子探测器的实验研究
| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| 第二章 中子源与中子探测技术发展 | 第14-26页 |
| 2.1 中子源发展 | 第14-18页 |
| 2.1.1 同位素中子源 | 第14页 |
| 2.1.2 反应堆中子源 | 第14-15页 |
| 2.1.3 加速器中子源 | 第15-16页 |
| 2.1.4 中国散裂中子源 | 第16-18页 |
| 2.2 中子应用技术 | 第18-20页 |
| 2.2.1 中子散射技术 | 第18页 |
| 2.2.2 中子照相 | 第18-19页 |
| 2.2.3 其它中子应用技术 | 第19-20页 |
| 2.3 中子探测技术发展 | 第20-25页 |
| 2.3.1 中子探测方法 | 第20-22页 |
| 2.3.2 常用中子探测器 | 第22-23页 |
| 2.3.3 中子探测技术发展瓶颈 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小节 | 第25-26页 |
| 第三章 涂硼GEM热中子探测器 | 第26-32页 |
| 3.1 国内外研究现状 | 第26-27页 |
| 3.2 探测器原理与结构 | 第27-29页 |
| 3.3 探测器关键技术 | 第29-31页 |
| 3.3.1 涂硼技术 | 第29-30页 |
| 3.3.2 GEM膜 | 第30-31页 |
| 3.3.3 读出电子学 | 第31页 |
| 3.4 本章小节 | 第31-32页 |
| 第四章 国产THGEM性能测试 | 第32-43页 |
| 4.1 UCAS-THGEM膜测试 | 第32-38页 |
| 4.1.1 探测器结构 | 第32-33页 |
| 4.1.2 电子学刻度与增益计算 | 第33-34页 |
| 4.1.3 测试结果 | 第34-38页 |
| 4.2 I HEP-THGEM膜测试 | 第38-42页 |
| 4.2.1 探测器结构 | 第38页 |
| 4.2.2 测试结果 | 第38-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 基于国产THGEM热中子探测器样机研制 | 第43-48页 |
| 5.1 探测器结构 | 第43-44页 |
| 5.2 信号引出与读出电子学 | 第44-45页 |
| 5.3 高压输入 | 第45页 |
| 5.4 探测器系统设计 | 第45-47页 |
| 5.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 探测器调试与初步性能测试 | 第48-63页 |
| 6.1 均匀性测试 | 第48-49页 |
| 6.2 X光机束流测试 | 第49-57页 |
| 6.2.1 测试用X光机介绍 | 第50-51页 |
| 6.2.2 计数率测试 | 第51页 |
| 6.2.3 本征位置分辨率测试 | 第51-55页 |
| 6.2.4 二维成像测试 | 第55-57页 |
| 6.3 ~(252)Cf中子源测试 | 第57-62页 |
| 6.3.1 测试环境 | 第57-58页 |
| 6.3.2 初步测试结果 | 第58-62页 |
| 6.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第七章 反应堆中子束流实验 | 第63-69页 |
| 7.1 实验环境 | 第63页 |
| 7.2 束流标定与探测效率 | 第63-65页 |
| 7.3 位置分辨率 | 第65-66页 |
| 7.4 二维成像 | 第66-68页 |
| 7.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第八章 总结与展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 发表文章情况 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
