中文摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-29页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 半导体光催化技术研究进展 | 第11-17页 |
1.2.1 半导体光催化技术简介 | 第11-12页 |
1.2.2 半导体光催化反应原理 | 第12-17页 |
1.2.3 半导体光催化技术在应用中存在的问题 | 第17页 |
1.3 半导体光催化材料 | 第17-19页 |
1.3.1 宽带隙半导体材料 | 第18-19页 |
1.3.2 窄带隙半导体材料 | 第19页 |
1.4 纳米g-C_3N_4光催化剂的研究进展 | 第19-21页 |
1.4.1 纳米g-C_3N_4的结构及性质 | 第19-20页 |
1.4.2 纳米g-C_3N_4的研究现状 | 第20-21页 |
1.4.3 纳米g-C_3N_4光催化剂存在的问题 | 第21页 |
1.5 纳米g-C_3N_4光催化剂的改性研究 | 第21-25页 |
1.5.1 形貌调控 | 第21-22页 |
1.5.2 表面修饰 | 第22-23页 |
1.5.3 体相掺杂 | 第23-24页 |
1.5.4 半导体复合 | 第24-25页 |
1.6 金属酞菁的研究 | 第25-26页 |
1.6.1 金属酞菁的结构 | 第25-26页 |
1.6.2 金属酞菁的研究现状 | 第26页 |
1.7 课题的立题依据及研究内容 | 第26-29页 |
1.7.1 课题的立题依据 | 第26-28页 |
1.7.2 研究内容及意义 | 第28-29页 |
第2章 实验材料及实验方法 | 第29-38页 |
2.1 实验试剂与仪器设备 | 第29-31页 |
2.1.1 实验试剂 | 第29-30页 |
2.1.2 仪器设备 | 第30-31页 |
2.2 材料表征方法 | 第31-34页 |
2.2.1 X-射线衍射 | 第31页 |
2.2.2 紫外-可见分光光度计 | 第31-32页 |
2.2.3 透射电子显微镜 | 第32页 |
2.2.4 光致发光光谱 | 第32页 |
2.2.5 X-射线光电子能谱 | 第32-33页 |
2.2.6 稳态表面光电压谱 | 第33页 |
2.2.7 瞬态表面光电压谱 | 第33-34页 |
2.3 羟基自由基测试 | 第34-35页 |
2.4 催化剂光催化活性评价 | 第35-36页 |
2.4.1 光催化降解2,4-二氯苯酚 | 第35页 |
2.4.2 光催化降解苯酚 | 第35-36页 |
2.4.3 光催化降解罗丹明B | 第36页 |
2.4.4 光催化CO2还原反应 | 第36页 |
2.5 其它测试 | 第36-38页 |
2.5.1 活性物种捕获实验 | 第36-37页 |
2.5.2 液相色谱-质谱联用法测2,4-二氯苯酚中间产物 | 第37-38页 |
第3章 卤素离子修饰对g-C_3N_4光催化剂改性的研究 | 第38-60页 |
3.1 前言 | 第38页 |
3.2 氯离子修饰对g-C_3N_4光生电荷分离的影响 | 第38-53页 |
3.2.1 样品的制备 | 第38-39页 |
3.2.2 结构表征 | 第39-43页 |
3.2.3 光生电荷性质 | 第43-46页 |
3.2.4 光催化活性 | 第46-53页 |
3.3 其它卤素离子修饰对g-C_3N_4光生电荷分离的影响 | 第53-56页 |
3.3.1 样品的制备 | 第53页 |
3.3.2 结果与讨论 | 第53-56页 |
3.4 机制分析 | 第56-58页 |
3.5 本章小结 | 第58-60页 |
第4章 金属酞菁修饰对g-C_3N_4光催化剂改性的研究 | 第60-74页 |
4.1 前言 | 第60-61页 |
4.2 不同金属酞菁修饰对g-C_3N_4的改性 | 第61-66页 |
4.2.1 样品的制备 | 第61页 |
4.2.2 结构表征 | 第61-63页 |
4.2.3 光生电荷性质 | 第63-65页 |
4.2.4 可见光催化活性 | 第65-66页 |
4.3 CuPc/CN体系光催化性能的探究 | 第66-73页 |
4.3.1 样品的制备 | 第66-67页 |
4.3.2 结构表征 | 第67-68页 |
4.3.3 光生电荷的性质 | 第68-70页 |
4.3.4 可见光催化活性评估 | 第70-71页 |
4.3.5 机制分析 | 第71-73页 |
4.4 本章小结 | 第73-74页 |
结论 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第86页 |