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格氏试剂形成机理的密度泛函理论研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-21页
    1.1 引言第9页
    1.2 格氏试剂简介第9-12页
        1.2.1 格氏试剂的历史第9-10页
        1.2.2 格氏试剂的性质第10-11页
        1.2.3 格氏试剂的应用第11-12页
    1.3 格氏试剂的制备第12-13页
        1.3.1 水和氧气对格氏试剂制备的影响第12页
        1.3.2 溶剂对格氏试剂制备的影响第12-13页
        1.3.3 卤代烃对格氏试剂制备的影响第13页
    1.4 格氏试剂的形成机理第13-19页
        1.4.1 早期研究第13页
        1.4.2 格氏试剂形成的选择性第13-16页
        1.4.3 格氏试剂形成的动力学第16-17页
        1.4.4 理论研究第17-19页
    1.5 本课题研究目标及研究内容第19-21页
第2章 金属镁表面的模型的建立第21-29页
    2.1 引言第21页
    2.2 计算方法第21-22页
        2.2.1 k点与k空间第21-22页
        2.2.2 赝势与截断能第22页
    2.3 金属镁体相晶格参数的确定第22-23页
        2.3.1 金属镁体相计算的参数第22-23页
        2.3.2 金属镁体相晶格参数的确定第23页
    2.4 金属镁表面模型的建立第23-24页
    2.5 计算条件的选择第24-28页
        2.5.1 k点的选择第24页
        2.5.2 模糊化方法的选择第24-25页
        2.5.3 截断能的选择第25页
        2.5.4 偶极矩校正及真空层的影响第25-26页
        2.5.5 自由能的影响第26-27页
        2.5.6 计算条件的选择第27-28页
    2.6 本章小结第28-29页
第3章 卤代烃在金属镁表面的解离第29-38页
    3.1 引言第29页
    3.2 卤代烃在金属镁表面的解离第29-34页
        3.2.1 卤代烃在金属镁表面的不同解离路径第29-30页
        3.2.2 双阴离子解离路径第30-31页
        3.2.3 表面解离产物的分析第31-34页
    3.3 卤代烃解离路径对格氏试剂选择性的影响第34-37页
        3.3.1 卤代烃在金属镁表面解离的势能面第35-36页
        3.3.2 芳基及烯基格氏试剂的构型保留第36-37页
    3.4 本章小结第37-38页
第4章 格氏试剂的脱附及形成机理第38-50页
    4.1 引言第38页
    4.2 格氏试剂脱附计算的模型选择第38-39页
    4.3 金属镁不同形式脱附的比较第39-41页
    4.4 溶剂对格氏试剂脱附的影响第41-42页
    4.5 格氏试剂的形成路径第42-43页
    4.6 格氏试剂形成机理的提出第43-44页
    4.7 阳离子脱附机理的实验验证第44-45页
        4.7.1 电极的制备第44页
        4.7.2 阳离子检测实验第44-45页
    4.8 格氏试剂脱附机理对烷基格氏试剂选择性的影响第45-47页
    4.9 格氏试剂形成的动力学第47-49页
        4.9.1 格氏试剂形成的诱导期第47页
        4.9.2 格氏试剂诱导期的消除第47-48页
        4.9.3 格氏试剂形成的动力学模拟第48-49页
    4.10 本章小结第49-50页
第5章 全文总结和展望第50-52页
    5.1 全文总结第50页
    5.2 主要创新点第50页
    5.3 不足及展望第50-52页
参考文献第52-57页
致谢第57-58页
攻读硕士学位期间论文成果第58页

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