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晶体叠层型薄膜体声波滤波器的设计与仿真研究

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
目录第7-10页
图目录第10-12页
表目录第12-13页
第一章 绪论第13-23页
   ·引言第13-14页
   ·背景知识第14-17页
     ·MEMS技术简介第14-15页
     ·无线通信电路简介第15-16页
     ·RF MEMS简介第16-17页
   ·薄膜体声波滤波器介绍及其国内外研究现状第17-20页
     ·薄膜体声波滤波器简介第17-18页
     ·国内外的研究现状第18-20页
   ·本文的研究工作及创新点第20-23页
     ·论文的结构安排第20-21页
     ·本文的创新点第21-23页
第二章 SCFBAF的结构设计与建模第23-34页
   ·理想FBAR的结构和工作原理第23-24页
   ·复合FBAR的种类和结构第24-26页
   ·基于一维Mason模型的理想FBAR等效电路第26-30页
   ·SCFBAF的结构设计及工作原理第30-31页
   ·SCFBAF的建模及理论推导第31-34页
第三章 SCFBAF的材料选择第34-38页
   ·SCFBAF压电材料选择第34-37页
   ·SCFBAF电极材料选择第37-38页
第四章 SCFBAF的3D有限元仿真第38-46页
   ·选择仿真方法第38页
   ·前处理器第38-41页
     ·建立实体模型第38-39页
     ·定义单元及材料属性第39-40页
     ·网格划分第40-41页
   ·加载和求解第41-43页
     ·定义分析类型和设置分析选项第41-42页
     ·施加载荷第42-43页
     ·求解第43页
   ·后处理操作第43-46页
     ·通用后处理器(POST1)第43-44页
     ·时间历程后处理器(POST26)第44-46页
第五章 计算结果第46-62页
   ·不同压电材料的SCFBAF的幅频特性计算结果第46-49页
     ·以PZT为压电材料的SCFBAF幅频特性计算结果第47-48页
     ·以ZnO为压电材料的SCFBAF幅频特性计算结果第48页
     ·以AlN为压电材料的SCFBAF幅频特性计算结果第48-49页
   ·不同压电层厚度的SCFBAF幅频特性计算结果第49-57页
     ·两压电层同步变化时的SCFBAF幅频特性计算结果第49-52页
     ·一个压电层厚度固定另一个压电层厚度变化时的SCFBAF幅频特性计算结果第52-56页
       ·压电层1厚度固定压电层2厚度变化时的SCFBAF幅频特性计算结果第52-54页
       ·压电层2厚度固定压电层1厚度变化时的SCFBAF幅频特性计算结果第54-56页
     ·两压电层总厚度固定时的SCFBAF幅频特性计算结果第56-57页
   ·不同形状的SCFBAF幅频特性计算结果第57-62页
     ·长方形SCFBAF的幅频特性计算结果第57-59页
     ·圆形SCFBAF的幅频特性计算结果第59-62页
第六章 结果分析及结论第62-69页
   ·压电材料对SCFBAF幅频特性的影响分析第62-63页
   ·压电层厚度对SCFBAF幅频特性的影响分析第63-66页
   ·形状对SCFBAF幅频特性的影响分析第66页
   ·结论第66-69页
第七章 SCFBAF的制备流程设计第69-78页
   ·压电薄膜的制备第69-75页
     ·PZT薄膜的制备方法及特点第69-73页
       ·射频磁控溅射法(RFMS)第70-71页
       ·脉冲激光沉积法(PLD)第71-72页
       ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel)第72-73页
       ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)第73页
       ·烧结法第73页
     ·ZnO薄膜的制备方法及特点第73-75页
       ·MOCVD制备ZnO薄膜的主要特点第74页
       ·MBE方法简介及特点第74页
       ·磁控溅射(Magnetron Sputtering,MS)法特点第74-75页
       ·PLD法和Sol-Gel法第75页
     ·AlN薄膜的制备方法及特点第75页
   ·电极的制备第75页
   ·SCFBAF的工艺制备流程第75-78页
第八章 总结及展望第78-80页
   ·总结第78-79页
   ·论文的不足第79页
   ·展望第79-80页
致谢第80-81页
参考文献/Reference第81-86页
附录Ⅰ 攻读硕士期间发表的学术论文第86页

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