新型量子效应光电器件阵列读出设计与测试研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-14页 |
| 1.1 量子效应光电探测器 | 第11页 |
| 1.2 CMOS读出电路 | 第11-13页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第13页 |
| 1.4 研究方法 | 第13页 |
| 1.5 论文特点 | 第13-14页 |
| 第二章 器件特性与分析 | 第14-18页 |
| 2.1 器件的I-V特性 | 第14-15页 |
| 2.2 探测器响应率 | 第15-16页 |
| 2.3 工作点分析 | 第16页 |
| 2.4 量子存储效应 | 第16-18页 |
| 第三章 读出设计与测试 | 第18-41页 |
| 3.1 CTIA读出设计与测试 | 第18-27页 |
| 3.1.1 CTIA电路原 | 第18-20页 |
| 3.1.2 倒空读出设计 | 第20-22页 |
| 3.1.3 器件与电路阵列测试 | 第22-27页 |
| 3.1.3.1 测试系统 | 第22页 |
| 3.1.3.2 测试过程 | 第22-24页 |
| 3.1.3.3 读出性能分析 | 第24-27页 |
| 3.2 自积分读出设计与测试 | 第27-36页 |
| 3.2.1 自积分电路原 | 第28-30页 |
| 3.2.2 倒空读出设计 | 第30-32页 |
| 3.2.3 自积分读出测试 | 第32-36页 |
| 3.2.3.1 测试方法 | 第32页 |
| 3.2.3.2 自积分读出测试 | 第32-36页 |
| 3.2.3.3 自积分倒空读出测试 | 第36页 |
| 3.3 增益可调CTIA读出电路测试 | 第36-39页 |
| 3.3.1 电路原理 | 第36-37页 |
| 3.3.2 CTIA电路增益研究 | 第37-38页 |
| 3.3.3 实验方法 | 第38页 |
| 3.3.4 结果与分析 | 第38-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-41页 |
| 第四章 总结展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 附录Ⅰ | 第46-47页 |
| 附录Ⅱ | 第47-52页 |
