| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 电阻式随机存取存储器概述 | 第9-16页 |
| 1.2.1 电阻式随机存取存储器的研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.2 电阻式随机存储器导电机制 | 第13-16页 |
| 1.3 本论文的研究意义 | 第16-18页 |
| 第二章 实验方法与表征 | 第18-28页 |
| 2.1 氧化物薄膜阻变存储器的制备方法 | 第18-21页 |
| 2.1.1 直流反应磁控溅射 | 第18-20页 |
| 2.1.2 氧化物薄膜阻变存储器的制备工艺 | 第20-21页 |
| 2.2 氧化物薄膜阻变存储器的表征方法 | 第21-28页 |
| 2.2.1 阻变薄膜及其器件的结构与成分表征 | 第21-24页 |
| 2.2.2 薄膜方块电阻和电阻率 | 第24-25页 |
| 2.2.3 薄膜厚度测试 | 第25页 |
| 2.2.4 薄膜光学性能测试 | 第25-26页 |
| 2.2.5 氧化物薄膜阻变存储器电学性能测试 | 第26-28页 |
| 第三章 SnO_2薄膜的电致阻变特性 | 第28-38页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 SnO_2阻变薄膜的制备 | 第28-29页 |
| 3.3 SnO_2阻变层薄膜的性能分析 | 第29-35页 |
| 3.3.1 SnO_2薄膜的晶态结构、表面形貌分析 | 第29-30页 |
| 3.3.2 SnO_2薄膜的光学特性 | 第30-32页 |
| 3.3.3 SnO_2薄膜记忆单元的阻变特性 | 第32-35页 |
| 3.4 SnO_2薄膜阻变特性的机理讨论 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 SnO_2薄膜阻变存储器性能的改善 | 第38-55页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 SnO_x/MoO_x双层结构RRAM | 第38-44页 |
| 4.2.1 制备与实验方法 | 第38-39页 |
| 4.2.2 性能测试与分析 | 第39-43页 |
| 4.2.3 机理讨论 | 第43-44页 |
| 4.3 室温制备Mo/O~(2-)deficient SnO_x/O~(2-)sufficient SnO_x/Pt结构 | 第44-46页 |
| 4.3.1 制备方法 | 第44页 |
| 4.3.2 电压电流特性 | 第44-46页 |
| 4.3.3 机理讨论 | 第46页 |
| 4.4 Ni/NiO_x/SnO_2/Pt存储单元的阻变特性 | 第46-49页 |
| 4.4.1 制备方法 | 第46-47页 |
| 4.4.2 氧化镍薄膜的表征 | 第47页 |
| 4.4.3 Ni/NiO_x/SnO_j/Pt 阻变特性 | 第47-49页 |
| 4.5 编程控制改善存储单元存储特性 | 第49-53页 |
| 4.5.1 器件制备方法 | 第49页 |
| 4.5.2 程序设计 | 第49-51页 |
| 4.5.3 实验结果 | 第51-53页 |
| 4.6 本章总结 | 第53-55页 |
| 第五章 透明或柔性SnO_x薄膜电阻存储器的研究 | 第55-63页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 IZO/SnO_x/IZO透明存储单元 | 第55-58页 |
| 5.2.0 IZO透明导电氧化物薄膜 | 第55-56页 |
| 5.2.1 透明存储单元IZO/SnO_x/IZO/Glass的制备方法 | 第56页 |
| 5.2.2 透明存储单元的光学特性 | 第56-57页 |
| 5.2.3 透明存储单元的电学特性 | 第57-58页 |
| 5.3 纸基Ni/SnO_x/MoO_x/Mo存储单元的研究 | 第58-62页 |
| 5.3.1 纸基Ni/SnO_x/MoO_x/Mo存储单元的制备方法 | 第58-59页 |
| 5.3.2 纸基Ni/SnO_x/MoO_x/Mo存储单元的形貌表征 | 第59-60页 |
| 5.3.3 纸基Ni/SnO_x/MoO_x/Mo存储单元的电学特性 | 第60-62页 |
| 5.4 本章总结 | 第62-63页 |
| 第六章 全文总结 | 第63-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录 硕士生在读期间的科研成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
