| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 前言 | 第5-8页 |
| 第一章 概论 | 第8-16页 |
| 1.1 闪存(Flash)的分类 | 第8-13页 |
| 1.2 NROM的应用和发展状况 | 第13-15页 |
| 1.3 论文的研究背景和意义 | 第15-16页 |
| 第二章 NROM的工作原理及制造工艺 | 第16-32页 |
| 2.1 NROM的工作原理 | 第16-24页 |
| 2.1.1 NROM的写入操作(Program) | 第16-19页 |
| 2.1.2 NROM的擦除操作(Erase) | 第19-22页 |
| 2.1.3 NROM的读取操作(Read) | 第22-24页 |
| 2.2 NROM的制造工艺 | 第24-32页 |
| 2.2.1 前段工艺：掩埋位线的制造 | 第28-29页 |
| 2.2.2 后段工艺：铜制程 | 第29-32页 |
| 第三章 NROM产品参考电流Iref的定义及其工艺相关性 | 第32-43页 |
| 3.1 NROM的参考电流Iref | 第32-37页 |
| 3.2 NROM参考单元的操作 | 第37-38页 |
| 3.3 制造工艺中与Iref相关的几个参数 | 第38-43页 |
| 第四章 Iref失效分析案例一 | 第43-47页 |
| 4.1 电性失效分析 | 第43-45页 |
| 4.2 失效模式和改善 | 第45-47页 |
| 第五章 Iref失效分析案例二 | 第47-52页 |
| 5.1 电性失效分析 | 第47-48页 |
| 5.2 物性失效分析 | 第48-50页 |
| 5.3 失效模式和改善 | 第50-52页 |
| 第六章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |