| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 相变存储材料 | 第10-15页 |
| 1.3 拓扑绝缘体材料 | 第15-21页 |
| 1.4 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 1.5 本文的研究内容及结构安排 | 第23-26页 |
| 2 铋碲基相变材料的制备 | 第26-45页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 硫系化合物 Bi_2Te_3薄膜材料的制备工艺 | 第27-32页 |
| 2.3 Bi_2Te_3薄膜材料的结构特点 | 第32-36页 |
| 2.4 铋碲基相变薄膜材料的制备 | 第36-43页 |
| 2.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 3 硅掺杂铋碲基薄膜的材料特性和结构特征 | 第45-60页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 硅掺杂的铋碲基材料材料特性 | 第46-52页 |
| 3.3 硅掺杂铋碲基材料的结构特征 | 第52-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 4 硅掺杂对铋碲基材料非晶态稳定性影响的第一性原理研究 | 第60-77页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第61-63页 |
| 4.3 硅掺杂的铋碲基材料晶态的电子结构和性质 | 第63-70页 |
| 4.4 硅掺杂的铋碲基材料非晶态的结构和分析 | 第70-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 5 拓扑绝缘体 Bi_2Te_3非平庸表面态的调控 | 第77-93页 |
| 5.1 引言 | 第77-78页 |
| 5.2 模型和方法 | 第78-80页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第80-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-93页 |
| 6 全文总结 | 第93-99页 |
| 6.1 研究内容总结 | 第93-97页 |
| 6.2 主要创新点 | 第97页 |
| 6.3 对进一步研究的展望 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-111页 |
| 附录 1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第111-112页 |
| 附录 2 攻读博士学位期间申请的发明专利 | 第112页 |
